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- Un détecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitué principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 à 5 mm d'épaisseur polarisée par une tension d'environ −1000 V. La partie centrale dopée au lithium forme la couche non conductrice i (intrinsèque), où le Li compense les accepteurs résiduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le détecteur, cela provoque la création de paires électrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivité suffisamment faible, le détecteur doit être maintenu à basse température, et un refroidissement à l'azote liquide doit être utilisé pour avoir une bonne résolution. Avec une certaine perte de résolution, un système de refroidissement Peltier peut être utilisé. (fr)
- Un détecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitué principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 à 5 mm d'épaisseur polarisée par une tension d'environ −1000 V. La partie centrale dopée au lithium forme la couche non conductrice i (intrinsèque), où le Li compense les accepteurs résiduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le détecteur, cela provoque la création de paires électrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivité suffisamment faible, le détecteur doit être maintenu à basse température, et un refroidissement à l'azote liquide doit être utilisé pour avoir une bonne résolution. Avec une certaine perte de résolution, un système de refroidissement Peltier peut être utilisé. (fr)
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- Un détecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitué principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 à 5 mm d'épaisseur polarisée par une tension d'environ −1000 V. La partie centrale dopée au lithium forme la couche non conductrice i (intrinsèque), où le Li compense les accepteurs résiduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le détecteur, cela provoque la création de paires électrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivité suffisamment faible, le détecteur doit être maintenu à basse température, et un refroidissement à l'azote liquide doit être utilisé pour avoir une bonne résolution. Avec une certaine perte de résolution, un système de refroidissement Peltier peut être utilisé. (fr)
- Un détecteur Silicium-Lithium (Si-(Li)) est constitué principalement d'une jonction silicium de type diode p-i-n de 3 à 5 mm d'épaisseur polarisée par une tension d'environ −1000 V. La partie centrale dopée au lithium forme la couche non conductrice i (intrinsèque), où le Li compense les accepteurs résiduels qui sinon rendraient la couche de type p. Quand un photon X traverse le détecteur, cela provoque la création de paires électrons-trous et induit un saut de tension. Pour obtenir une conductivité suffisamment faible, le détecteur doit être maintenu à basse température, et un refroidissement à l'azote liquide doit être utilisé pour avoir une bonne résolution. Avec une certaine perte de résolution, un système de refroidissement Peltier peut être utilisé. (fr)
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- Détecteur Si(Li) (fr)
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