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- En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr)
- En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr)
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- G. Binasch et. al. (fr)
- J. S. Moodera and George Mathon (fr)
- J. S. Moodera et. al. (fr)
- M. Julliere (fr)
- M. N. Baibich et. al. (fr)
- Michel Hehn, François Montaigne et Alain Schul (fr)
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- J. S. Moodera and George Mathon (fr)
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- Techniques de l'ingénieur (fr)
- Phys. Rev. B (fr)
- Phys. Rev. Lett. (fr)
- Magn. Magn. Mater. (fr)
- Phys. Lett. (fr)
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- réf E2135 V1 lire en ligne=http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/materiaux-et-dispositifs-magnetiques-et-supraconducteurs-42282210/magnetoresistance-geante-et-electronique-de-spin-e2135/ (fr)
- réf E2135 V1 lire en ligne=http://www.techniques-ingenieur.fr/base-documentaire/electronique-photonique-th13/materiaux-et-dispositifs-magnetiques-et-supraconducteurs-42282210/magnetoresistance-geante-et-electronique-de-spin-e2135/ (fr)
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- Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange (fr)
- Tunneling between ferromagnetic films (fr)
- Spin polarized tunneling in ferromagnetic junctions (fr)
- Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions (fr)
- Giant Magnetoresistance of Fe/Cr Magnetic Superlattices (fr)
- Magnétorésistance géante et électronique de spin (fr)
- Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange (fr)
- Tunneling between ferromagnetic films (fr)
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- En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr)
- En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr)
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- Efecto túnel magnético (es)
- Magnetischer Tunnelwiderstand (de)
- Magnétorésistance à effet tunnel (fr)
- Tunnel magnetoresistance (en)
- مقاومة مغناطيسية نفقية (ar)
- 隧道磁阻 (zh)
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