Property |
Value |
dbo:abstract
|
- Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes. (fr)
- Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes. (fr)
|
dbo:thumbnail
| |
dbo:wikiPageExternalLink
| |
dbo:wikiPageID
| |
dbo:wikiPageLength
|
- 8835 (xsd:nonNegativeInteger)
|
dbo:wikiPageRevisionID
| |
dbo:wikiPageWikiLink
| |
prop-fr:année
|
- 1994 (xsd:integer)
- 1995 (xsd:integer)
- 2003 (xsd:integer)
|
prop-fr:auteur
|
- Donald Smith (fr)
- Donald Smith (fr)
|
prop-fr:auteurs
|
- Dobkin and Zuraw (fr)
- Lieberman and Lichtenberg (fr)
- Dobkin and Zuraw (fr)
- Lieberman and Lichtenberg (fr)
|
prop-fr:titre
|
- Principles of Chemical Vapor Deposition (fr)
- Thin-Film Deposition: Principles and Practice (fr)
- Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (fr)
- Principles of Chemical Vapor Deposition (fr)
- Thin-Film Deposition: Principles and Practice (fr)
- Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (fr)
|
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
| |
prop-fr:éditeur
|
- Wiley (fr)
- Kluwer (fr)
- MacGraw-Hill (fr)
- Wiley (fr)
- Kluwer (fr)
- MacGraw-Hill (fr)
|
dct:subject
| |
rdfs:comment
|
- Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes. (fr)
- Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (ou PECVD, pour Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition en anglais) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces sur un substrat à partir d'un état gazeux (vapeur). Des réactions chimiques se déroulent au cours du processus après la formation d'un plasma à partir des gaz du réacteur. Le plasma est généralement créé à partir de ce gaz par une décharge électrique pouvant être générée à partir de sources radio-fréquences (13,56 MHz), micro-ondes (2,45 GHz) ou par une décharge électrique continue entre deux électrodes. (fr)
|
rdfs:label
|
- Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (fr)
- Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (de)
- Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (fr)
- Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (de)
|
rdfs:seeAlso
| |
owl:sameAs
| |
prov:wasDerivedFrom
| |
foaf:depiction
| |
foaf:isPrimaryTopicOf
| |
is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
is dbo:wikiPageRedirects
of | |
is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
is oa:hasTarget
of | |
is foaf:primaryTopic
of | |