1.5 µm (ou encore 1 500 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 3 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1982 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1 µm.

Property Value
dbo:abstract
  • 1.5 µm (ou encore 1 500 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 3 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1982 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1 µm. (fr)
  • 1.5 µm (ou encore 1 500 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 3 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1982 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1 µm. (fr)
dbo:followedBy
dbo:follows
dbo:thumbnail
dbo:wikiPageID
  • 5593198 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength
  • 924 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID
  • 160605365 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dct:subject
rdfs:comment
  • 1.5 µm (ou encore 1 500 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 3 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1982 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1 µm. (fr)
  • 1.5 µm (ou encore 1 500 nm) est l'évolution de l'essai précédent du processus 3 µm.Cette technologie des semi-conducteurs a été atteinte en 1982 par les sociétés de semi-conducteurs, comme Intel ou encore IBM. Le successeur de ce procédé utilise une largeur de canal de 1 µm. (fr)
rdfs:label
  • 1,5 µm (fr)
  • 1,5 µm (pt)
  • 1.5 µm process (en)
  • 1.5微米制程 (zh)
  • عملية 1.5 ميكرومتر (ar)
owl:sameAs
prov:wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbo:followedBy of
is dbo:follows of
is dbo:wikiPageRedirects of
is dbo:wikiPageWikiLink of
is oa:hasTarget of
is foaf:primaryTopic of