↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.↑ IARC Working Group on the Evaluation of Carcinogenic Risks to Humans, « Evaluations Globales de la Cancérogénicité pour l'Homme, Groupe 1 : Cancérogènes pour l'homme », sur http://monographs.iarc.fr, CIRC,‎ 16 janvier 2009 (consulté le 22 août 2009)↑ 3,0, 3,1 et 3,2 Entrée de « Gallium arsenide » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais), accès le 14 septembre 2011 (JavaScript nécessaire)

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados.O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos.== Referências ==
  • L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques.
  • ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)の名称で呼ばれることが多く、ガリヒ素という俗称も使用される。
  • Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge elektromobiliteit kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.
  • El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
  • A gallium-arzenid (GaAs) gallium és arzén által alkotott vegyület. A vegyületben a gallium +3 oxidációs számmal vesz részt.
  • Галиевият арсенид (GaAs) е химично съединение на галия и арсена. От всички съединения от вида AIIIBV (на елементи от ІІІ и V група на Периодичната система) той е най-интересен и намира широко приложение в полупроводниковата техника. Неговото най-важно свойство е високата подвижност на електроните. Този факт позволява изготвяне на СВЧ-прибори с подобрени характеристики. Друго предимство е голямата ширина на забранената зона, което дава възможност за работа на структурите при повишени температури. GaAs е подходящ материал за радиационно-устойчиви прибори и интегрални схеми.Основен недостатък е фактът, че GaAs е двукомпонентно съединение. Той изисква понижаване на максималните температури по време на технологичните процеси, за да се избегне повърхностната дисоциация.За разлика от силиция, легирането чрез дифузия е неприложимо за GaAs. При него не съществува и стабилен, лесно формиращ се естествен оксид. Повърхността му е по-чувствителна към въздействието на различни химични вещества, използвани в технологичните процеси, което изисква нов подход при реализацията им. GaAs е твърде крехък материал и има опасност от разрушаване при различните технологични обработки. Намира практическо приложение за изработване на: Фотодетектори за видима светлина, рентгенови лъчи; Интегрални схеми с висока степен на интеграция; Полеви транзистори; Светоизлъчващи лазерни диоди; СВЧ-диоди.
  • Arsenek galu (GaAs) – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz.Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) Bg = 1,424 eV.
  • Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a laserových LED a fotovoltaických článků.
  • Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows.GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors including: InGaAs and GaInNAs.
  • L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs.È caratterizzato da un'alta mobilità dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui viene usato nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
  • Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.
dbpedia-owl:depictionDescription
  • Cristal d'arséniure de gallium
  • Maille cristalline de l'arséniure de gallium
  • 225px
  • __Ga3+ __As3−
dbpedia-owl:inchi
  • 1/As.Ga/rAsGa/c1-2
dbpedia-owl:iupacName
  • Arséniure de gallium
dbpedia-owl:smiles
  • [Ga]#[As]
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageExternalLink
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 380603 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 13033 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 67 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 106251438 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:apparence
  • solide cristallin gris sombre
prop-fr:as
  • 1 (xsd:integer)
prop-fr:bandeinterdite
  • 1.424000 (xsd:double)
prop-fr:cacher
  • oui
prop-fr:circ
  • Groupe 1 : Cancérogène pour l'homme
prop-fr:formule
  • GaAs
prop-fr:ga
  • 1 (xsd:integer)
prop-fr:inchi
  • 1 (xsd:integer)
prop-fr:legende
  • 225 (xsd:integer)
  • Cristal d'arséniure de gallium
  • Maille cristalline de l'arséniure de gallium
  • __ Ga3+ __ As3−
prop-fr:mobiliteelectronique
  • à 300 K : 9200 cm²/
prop-fr:mobilitetrous
  • à :
prop-fr:nom
  • Arséniure de gallium
prop-fr:nomiupac
  • Arséniure de gallium
  • Arséniure de gallium
prop-fr:smiles
  • [Ga]#[As]
prop-fr:structuretype
prop-fr:tailleimage
  • 200 (xsd:integer)
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdf:type
rdfs:comment
  • ↑ Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.↑ IARC Working Group on the Evaluation of Carcinogenic Risks to Humans, « Evaluations Globales de la Cancérogénicité pour l'Homme, Groupe 1 : Cancérogènes pour l'homme », sur http://monographs.iarc.fr, CIRC,‎ 16 janvier 2009 (consulté le 22 août 2009)↑ 3,0, 3,1 et 3,2 Entrée de « Gallium arsenide » dans la base de données de produits chimiques GESTIS de la IFA (organisme allemand responsable de la sécurité et de la santé au travail) (allemand, anglais), accès le 14 septembre 2011 (JavaScript nécessaire)
  • L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques.
  • ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、gallium arsenide)はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)の名称で呼ばれることが多く、ガリヒ素という俗称も使用される。
  • Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge elektromobiliteit kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.
  • El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas.
  • A gallium-arzenid (GaAs) gallium és arzén által alkotott vegyület. A vegyületben a gallium +3 oxidációs számmal vesz részt.
  • Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a laserových LED a fotovoltaických článků.
  • Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows.GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors including: InGaAs and GaInNAs.
  • Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений.
  • Галиевият арсенид (GaAs) е химично съединение на галия и арсена. От всички съединения от вида AIIIBV (на елементи от ІІІ и V група на Периодичната система) той е най-интересен и намира широко приложение в полупроводниковата техника. Неговото най-важно свойство е високата подвижност на електроните. Този факт позволява изготвяне на СВЧ-прибори с подобрени характеристики.
  • Arsenek galu (GaAs) – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego.
  • L'arseniuro di gallio è un materiale inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio.
  • Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs.
rdfs:label
  • Arséniure de gallium
  • Arsenek galu
  • Arsenid gallitý
  • Arsenieto de gálio
  • Arseniuro de galio
  • Arseniuro di gallio
  • Arsenur de gal·li
  • Gallium arsenide
  • Gallium-arzenid
  • Galliumarsenid
  • Galliumarsenide
  • Арсенид галлия
  • Галиев арсенид
  • ヒ化ガリウム
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
foaf:name
  • Arséniure de gallium
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is prop-fr:autresanions of
is foaf:primaryTopic of