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- Heinrich Johann Welker, né à Ingolstadt (Royaume de Bavière) le 9 septembre 1912 et mort à Erlangen (Allemagne) le 25 décembre 1981, est un physicien allemand, aussi bien théoricien que pratiquant la physique appliquée. Il a inventé le « transistron », un transistor fabriqué chez Westinghouse indépendamment du premier transistor réussi réalisé chez Bell Laboratories. Il a fait un travail fondamental dans le domaine des semi-conducteurs composés III-V et a ouvert la voie aux éléments semi-conducteurs à micro-ondes et aux diodes laser. (fr)
- Heinrich Johann Welker, né à Ingolstadt (Royaume de Bavière) le 9 septembre 1912 et mort à Erlangen (Allemagne) le 25 décembre 1981, est un physicien allemand, aussi bien théoricien que pratiquant la physique appliquée. Il a inventé le « transistron », un transistor fabriqué chez Westinghouse indépendamment du premier transistor réussi réalisé chez Bell Laboratories. Il a fait un travail fondamental dans le domaine des semi-conducteurs composés III-V et a ouvert la voie aux éléments semi-conducteurs à micro-ondes et aux diodes laser. (fr)
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- Heinrich Johann Welker, né à Ingolstadt (Royaume de Bavière) le 9 septembre 1912 et mort à Erlangen (Allemagne) le 25 décembre 1981, est un physicien allemand, aussi bien théoricien que pratiquant la physique appliquée. Il a inventé le « transistron », un transistor fabriqué chez Westinghouse indépendamment du premier transistor réussi réalisé chez Bell Laboratories. Il a fait un travail fondamental dans le domaine des semi-conducteurs composés III-V et a ouvert la voie aux éléments semi-conducteurs à micro-ondes et aux diodes laser. (fr)
- Heinrich Johann Welker, né à Ingolstadt (Royaume de Bavière) le 9 septembre 1912 et mort à Erlangen (Allemagne) le 25 décembre 1981, est un physicien allemand, aussi bien théoricien que pratiquant la physique appliquée. Il a inventé le « transistron », un transistor fabriqué chez Westinghouse indépendamment du premier transistor réussi réalisé chez Bell Laboratories. Il a fait un travail fondamental dans le domaine des semi-conducteurs composés III-V et a ouvert la voie aux éléments semi-conducteurs à micro-ondes et aux diodes laser. (fr)
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