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- La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :
* une plus faible consommation d'électricité ;
* une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
* la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois. Les inconvénients sont par contre :
* des capacités de stockage plus limitées ;
* un coût de fabrication plus élevé. Leur utilisation est destinée au SSD. (fr)
- La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants :
* une plus faible consommation d'électricité ;
* une plus grande rapidité de lecture et d'écriture (temps d'accès de 100 nanosecondes contre 1 microseconde pour la mémoire flash) ;
* la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois. Les inconvénients sont par contre :
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- La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants : Les inconvénients sont par contre : (fr)
- La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM en anglais) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non volatilité. En mai 2011, Texas Instruments lance le premier microcontrôleur à mémoire FRAM. Certaines compagnies, telles que Fujitsu et Cypress Semiconductor ont commencé à produire des circuits utilisant cette technologie. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possédera les avantages suivants : Les inconvénients sont par contre : (fr)
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- FRAM (pt)
- FRAM (ru)
- FRAM (uk)
- FeRAM (sv)
- Ferroelectric RAM (en)
- Ferroelectric Random Access Memory (fr)
- Memoria FRAM (es)
- Memòria FeRAM (ca)
- 強誘電体メモリ (ja)
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