| Property |
Value |
| dbo:abstract
|
- Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en microfabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4. Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium NH4F, et d'acide fluorhydrique HF. (fr)
- Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en microfabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4. Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium NH4F, et d'acide fluorhydrique HF. (fr)
|
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 1505 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| prop-fr:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdfs:comment
|
- Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en microfabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4. Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium NH4F, et d'acide fluorhydrique HF. (fr)
- Le buffered oxide etch (BOE - oxyde gravant tamponné) est une solution gravante utilisée en microfabrication. Cette solution est essentiellement utilisée pour graver des couches minces de dioxyde de silicium SiO2 ou de nitrure de silicium Si3N4. Elle est composée d'un tampon, comme du fluorure d'ammonium NH4F, et d'acide fluorhydrique HF. (fr)
|
| rdfs:label
|
- Buffered oxide etch (en)
- Buffered oxide etch (fr)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is oa:hasTarget
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
