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- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). En 2013, la presse informatique affiche de bons espoirs que la mémoire RRAM va détrôner la mémoire vive DRAM et la mémoire flash grâce à des performances plusieurs fois supérieures. Selon la société Crossbar, acteur majeur émergeant de la technologie RRAM, cette technologie permet de stocker 1 To de données sur une puce de la taille d’un timbre postal. Elle est également 20 fois plus rapide que la meilleure mémoire flash en août 2013, et consomme 20 fois moins d’énergie. Selon Crossbar, la production à grande échelle de leurs puces RRAM est prévue pour 2015, lors d’un entretien en août 2013. (fr)
- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). En 2013, la presse informatique affiche de bons espoirs que la mémoire RRAM va détrôner la mémoire vive DRAM et la mémoire flash grâce à des performances plusieurs fois supérieures. Selon la société Crossbar, acteur majeur émergeant de la technologie RRAM, cette technologie permet de stocker 1 To de données sur une puce de la taille d’un timbre postal. Elle est également 20 fois plus rapide que la meilleure mémoire flash en août 2013, et consomme 20 fois moins d’énergie. Selon Crossbar, la production à grande échelle de leurs puces RRAM est prévue pour 2015, lors d’un entretien en août 2013. (fr)
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- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). (fr)
- Resistive random-access memory (RRAM ou ReRAM) est un type de mémoire non volatile en cours de développement par différentes entreprises, dont certaines en ont brevetée des versions (par exemple Sharp Laboratories of America pour le brevet US 6531371 en juin 2001, Samsung Electronics pour le brevet US 7292469 en novembre 2004, et Micron Technology, Spansion, , , entre ces deux dates). La technologie comporte quelques similitudes à CBRAM et à PRAM (Phase-Change Random Access Memory). (fr)
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