. "169859905"^^ . . . . . . . "Self-aligned gate"@en . . . . "Self-aligned gate"@fr . . . "5300132"^^ . . . . "\u81EA\u5DF1\u6574\u5408\u30B2\u30FC\u30C8"@ja . "Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par \u00AB grille auto-align\u00E9e \u00BB) est un proc\u00E9d\u00E9 de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, tr\u00E8s dop\u00E9e, est utilis\u00E9e en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Gr\u00E2ce \u00E0 cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est n\u00E9e en 1966, et fut brevet\u00E9e aux \u00C9tats-Unis en octobre 1969."@fr . . "858"^^ . . "Une self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par \u00AB grille auto-align\u00E9e \u00BB) est un proc\u00E9d\u00E9 de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, tr\u00E8s dop\u00E9e, est utilis\u00E9e en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Gr\u00E2ce \u00E0 cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est n\u00E9e en 1966, et fut brevet\u00E9e aux \u00C9tats-Unis en octobre 1969."@fr . . .