This HTML5 document contains 40 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dbpedia-dehttp://de.dbpedia.org/resource/
dcthttp://purl.org/dc/terms/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
n15http://g.co/kg/m/
dbpedia-ruhttp://ru.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
category-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/Catégorie:
n9http://fr.dbpedia.org/resource/Modèle:
n6http://fr.dbpedia.org/resource/Fichier:
wikipedia-frhttp://fr.wikipedia.org/wiki/
n13http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
dbpedia-arhttp://ar.dbpedia.org/resource/
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
n20http://ma-graph.org/entity/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
prop-frhttp://fr.dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbpedia-nlhttp://nl.dbpedia.org/resource/
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbpedia-fr:LOCOS
rdfs:label
LOCOS-Prozess LOCOS LOCOS LOCOS
rdfs:comment
L'oxydation locale du silicium, ou LOCOS (pour LOCal Oxidation of Silicon), est un procédé de microfabrication formant du dioxyde de silicium SiO2 dans des zones précisément définies d'un wafer de silicium de telle sorte que l'interface Si–SiO2 soit en-dessous de la surface du wafer lui-même.
owl:sameAs
dbpedia-ja:LOCOS dbpedia-ru:LOCOS n15:02r15zp dbpedia-ar:أكسدة_موضعية_للسيليكون wikidata:Q1798244 dbpedia-nl:LOCOS dbpedia-fa:لوکوس n20:195114451 dbpedia-de:LOCOS-Prozess dbr:LOCOS
dbo:wikiPageID
12521829
dbo:wikiPageRevisionID
158856966
dbo:wikiPageWikiLink
n6:Locos_(microtechnology).svg dbpedia-fr:Isolant_électrique dbpedia-fr:Silicium dbpedia-fr:Oxydation_thermique dbpedia-fr:Dioxygène dbpedia-fr:Gravure_(microfabrication) dbpedia-fr:Dioxyde_de_silicium category-fr:Microélectronique dbpedia-fr:Transistor_à_effet_de_champ_à_grille_métal-oxyde
dbo:wikiPageLength
2125
dct:subject
category-fr:Microélectronique
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
n9:Fchim n9:Références n9:Portail n9:Lien
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-fr:LOCOS?oldid=158856966&ns=0
foaf:depiction
n13:Locos_(microtechnology).svg
prop-fr:fr
modèle Deal-Grove
prop-fr:langue
en
prop-fr:trad
Deal–Grove model
dbo:thumbnail
n13:Locos_(microtechnology).svg?width=300
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-fr:LOCOS
dbo:abstract
L'oxydation locale du silicium, ou LOCOS (pour LOCal Oxidation of Silicon), est un procédé de microfabrication formant du dioxyde de silicium SiO2 dans des zones précisément définies d'un wafer de silicium de telle sorte que l'interface Si–SiO2 soit en-dessous de la surface du wafer lui-même. Cette technologie a été développée afin d'isoler les transistors MOS à effet de champ les uns des autres, et limiter les interférences entre transistors. Le principal objectif est de former une structure isolante en dioxyde de silicium pénétrant sous la surface du wafer, ce qu'il n'est pas facile de réaliser par gravure. On a plutôt recours à l'oxydation thermique de régions localisées autour des transistors. L'oxygène pénètre en profondeur dans le wafer, réagit avec le silicium et convertit ce dernier en silice, formant une structure entrant dans le volume du silicium. Cette réaction peut être modélisée à l'aide du (en).