This HTML5 document contains 47 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n16http://g.co/kg/g/
dcthttp://purl.org/dc/terms/
dbohttp://dbpedia.org/ontology/
foafhttp://xmlns.com/foaf/0.1/
dbpedia-cahttp://ca.dbpedia.org/resource/
dbpedia-kohttp://ko.dbpedia.org/resource/
n22http://wuu.dbpedia.org/resource/
dbpedia-eshttp://es.dbpedia.org/resource/
dbpedia-ukhttp://uk.dbpedia.org/resource/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
category-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/Catégorie:
n11http://fr.dbpedia.org/resource/Modèle:
n14http://fr.dbpedia.org/resource/Fichier:
n8http://commons.wikimedia.org/wiki/Special:FilePath/
dbpedia-fahttp://fa.dbpedia.org/resource/
wikipedia-frhttp://fr.wikipedia.org/wiki/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
owlhttp://www.w3.org/2002/07/owl#
dbpedia-vihttp://vi.dbpedia.org/resource/
dbpedia-zhhttp://zh.dbpedia.org/resource/
dbpedia-frhttp://fr.dbpedia.org/resource/
prop-frhttp://fr.dbpedia.org/property/
provhttp://www.w3.org/ns/prov#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
dbrhttp://dbpedia.org/resource/
wikidatahttp://www.wikidata.org/entity/
dbpedia-jahttp://ja.dbpedia.org/resource/

Statements

Subject Item
dbpedia-fr:FinFET
rdfs:label
FinFET FinFET FinFET FinFET FinFET FinFET
rdfs:comment
Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un , un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglais fins) sur la surface du silicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologie CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) planaire.
owl:sameAs
dbpedia-ko:핀펫 dbpedia-fa:فین‌فت n16:11gdsc22g5 dbpedia-ja:FinFET dbpedia-es:FinFET dbpedia-ca:FinFET dbpedia-zh:FinFET dbpedia-uk:FinFET n22:FinFET wikidata:Q33114556 dbr:FinFET dbpedia-vi:FinFET
dbo:wikiPageID
13786505
dbo:wikiPageRevisionID
179822040
dbo:wikiPageWikiLink
dbpedia-fr:10_nm dbpedia-fr:Fabrication_des_dispositifs_à_semi-conducteurs category-fr:Transistor dbpedia-fr:Dispositif_multi-grilles dbpedia-fr:14_nm dbpedia-fr:Nanoélectronique dbpedia-fr:7_nm n14:Doublegate_FinFET.PNG dbpedia-fr:Wafer category-fr:Microprocesseur dbpedia-fr:Transistor_à_effet_de_champ_à_grille_métal-oxyde dbpedia-fr:Grille_de_contrôle dbpedia-fr:Transistor_à_effet_de_champ dbpedia-fr:Complementary_metal_oxide_semi-conductor dbpedia-fr:Transistor
dbo:wikiPageLength
2003
dct:subject
category-fr:Transistor category-fr:Microprocesseur
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
n11:Langue n11:Références n11:Portail
prov:wasDerivedFrom
wikipedia-fr:FinFET?oldid=179822040&ns=0
foaf:depiction
n8:Doublegate_FinFET.png
dbo:thumbnail
n8:Doublegate_FinFET.png?width=300
foaf:isPrimaryTopicOf
wikipedia-fr:FinFET
dbo:abstract
Un transistor à effet de champ à ailettes (en anglais fin field-effect transistor ou FinFET) est un , un transistor à effet de champ MOSFET (FET à structure métal/oxyde/semi-conducteur) construit sur un substrat où la grille est placée sur deux, trois ou quatre côtés du canal, formant un structure à double grille. On a donné le nom générique « FinFET » à ces dispositifs car la région source/drain forme des ailettes (en anglais fins) sur la surface du silicium. Les transistors FinFET ont des temps de commutation significativement plus rapides et des densités de courant plus élevées que ceux de technologie CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) planaire. Le FinFET est un type de transistor non planaire, ou « transistor 3D ». Il est à la base de la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs modernes nanoélectroniques. Les puces utilisant des transistors FinFET ont été commercialisées dans la première moitié des années 2010, et sont devenues le type de conception de grille le plus répandu pour les procédés de fabrication à 14 nm, 10 nm et 7 nm. Un unique transistor FinFET peut posséder plusieurs ailettes, disposées côte-à-côte et toutes couvertes par la même grille, qui agi électriquement comme une seule, pour augmenter la densité de courant et la performance.