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- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
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- revue japonaise de physique appliquée (fr)
- transistor d'électrons à haute mobilité (fr)
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- Japanese Journal of Applied Physics (fr)
- high electron mobility transistor (fr)
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- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
- Satoshi Hiyamizu (冷水 佐壽, Hiyamizu Satoshi) est un professeur d'électrotechnique. Hiyamizu remporte en 1982 le prix du meilleur article de la (en) en tant qu'auteur principal d'un article sur la mobilité dans les tandis qu'il travaille au laboratoires Fujitsu, reçoit la avec Takashi Mimura « pour sa contribution exceptionnelle à la croissance épitaxiale de matériaux et dispositifs composés semi-conducteurs », et en 2001 est nommé « pour sa contribution à la réalisation du premier (en) (HEMT) ». Il est doyen de l'école d'ingénierie de l'université d'Osaka de 2000 à 2002. (fr)
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