Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.
Property | Value |
---|---|
dbo:abstract |
|
dbo:wikiPageExternalLink | |
dbo:wikiPageID |
|
dbo:wikiPageLength |
|
dbo:wikiPageRevisionID |
|
dbo:wikiPageWikiLink | |
prop-fr:wikiPageUsesTemplate | |
dct:subject | |
rdfs:comment |
|
rdfs:label |
|
owl:sameAs | |
prov:wasDerivedFrom | |
foaf:isPrimaryTopicOf | |
is dbo:wikiPageDisambiguates of | |
is dbo:wikiPageWikiLink of | |
is oa:hasTarget of | |
is foaf:primaryTopic of |