Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.
  • The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are unipolar transistors as they involve single-carrier-type operation. The concept of the FET predates the bipolar junction transistor (BJT), though it was not physically implemented until after BJTs due to the limitations of semiconductor materials and the relative ease of manufacturing BJTs compared to FETs at the time.
  • Alan Etkili Transistörlerin (AET) tarihi 1920'lere kadar uzanır. Fakat, üretilmesindeki zorluklar nedeniyle ancak 1960'larda ilk alan etkili transistörler gerçekleştirilebilmiştir. AET yapısı, silikon kristal ile silikon-dioksid arasında çok temiz bir arayüz olmasında dayandığı için yarı iletken teknolojisi yeteri gelişmeden güvenilir bir yapıda üretilememiştir.Temelde, alan etkili transistörler iletken, yalıtkan ve yarı iletken oluşan bir sığa yapısına sahiptirler. İletken ile yarı iletken arasındaki gerilim değiştirilerek, yalıtkanın hemen altındaki yarı iletken bölgesindeki yük taşıyıcılarının işareti ve yoğunluğu değiştirilebilir. Yarı iletken malzemedeki yük taşıyıcıların yoğunluğunun değişmesiyle, iletkenliği de değişir. İki terminal (kaynak ve savak) eklenerek, iletkenlikteki bu modulasyon kullanılarak bu terminaller arasındaki akım, üçünçü bir terminalle (kapı) kontrol edilebilir. Kapı terminali iletkene bağlıyken, kaynak ve savak terminalleri birer jonksiyonla gerçekleştirilirler.Alan Etkili Transistörler özellikle sayısal tümleşik devrelerin tasarımında tercih edilmektedir. Bunun birkaç nedeni vardır: Kapı terminaliyle transistörün geri kalanı arasında yalıtkan bir malzeme olduğu için, transistörün düşük frekanslardaki giriş direnci sonsuzdur. Kapı terminaliyle kaynak terminali arasındaki gerilim eşik geriliminin altına indirilerek, kaynak ve savak arasındaki akım tamamen kesilebilir. Böylece ideal bir anahtarı, bir alan etkili transistörle gerçekleştirmek olanaklıdır. Alan etkili transistörleri, bir silikon malzeme üstünde çok yoğun olarak fotolithografik yöntemleri kullanarak üretmek mümkündür. Böylece her bir transistör başına düşen üretim maliyeti çok düşürülebilir.
  • Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET (ang. Field Effect Transistor) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego.
  • Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect-transistor), is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen. Een veldeffecttransistor bestaat uit een geleidingskanaal tussen de aansluitingen source (S) en drain (D), waarvan de geleiding beïnvloed kan worden door het elektrische veld van de spanning op de gate (G). De transistor heet unipolair omdat slechts één soort ladingsdrager (gaten of elektronen) deelneemt aan de stroom tussen source en drain. De spanning op de gate zorgt voor het breder worden of verdwijnen van het geleidingskanaal tussen source en drain waarmee de stroom van source naar drain te sturen is. In tegenstelling tot een 'gewone' bipolaire transistor loopt bij een FET geen stroom van betekenis door de gate zoals door de basis van een transistor. Het principe van de veldeffecttransistor was al in de jaren 20 van de 20e eeuw bekend, maar pas nadat de halfgeleidertechnologie voldoende ontwikkeld was, konden FET's seriematig gefabriceerd worden.Veldeffecttransistoren komen onder meer voor in de volgende uitvoeringen: sperlaag-veldeffecttransistor (J-FET: Junction FET) metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistor (MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET) Schottky-veldeffecttransistor (MESFET) High Electron Mobility transistor (HEMT) Ion-Sensitive veldeffecttransistor (ISFET) organische veldeffecttransistor (OFET)Van alle uitvoeringen kan het geleidingskanaal bestaan uit n-gedoteerd (n-channel type) of uit p-gedoteerd (p-channel type) halfgeleidermateriaal.De twee meest gebruikte varianten van de FET zijn: de J-FET en de MOS-FET.J-FET Bij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich als een n-gedoteerde zone in het p-gedoteerde materiaal van de gate. Het geleidingskanaal is dus van de gate gescheiden door een pn-overgang (junction). De pn-overgang tussen gate en kanaal is in normaal bedrijf in sperrichting geschakeld, zodat de stroom door de gate in de grootte-orde van de lekstroom van een gesperde diode is. In het p-channel-type is op de gebruikelijke wijze alles tegengesteld uitgevoerd. MOS-FET Bij het n-channel-type bevindt het geleidingskanaal zich aan de oppervlakte van het p-gedoteerde substraat, vlak onder de SiO2-isolatielaag, en wordt gevormd onder invloed van de spanning op de gate tussen de als n-gedoteerde zones uitgevoerde source en drain. De gate is als elektrode op deze isolatielaag aangebracht en is dus van het geleidingskanaal geïsoleerd. De enige stroom die van/naar de gate loopt, wordt veroorzaakt door het capacitieve effect van de gate, en is in de praktijk nagenoeg te verwaarlozen. Het substraat is van het kanaal gescheiden door een pn-overgang en is daarom voor zien van een aansluiting (B: bulk) die meestal intern met de source verbonden is.Sommige FET's kennen in het gebruik geen verschil tussen de source en de drain, maar door geavanceerde constructietechnieken, bijvoorbeeld het variëren van de dikte van de p- of n-laag, is het mogelijk om een FET specifiek gevoelig te maken voor het potentiaalverschil tussen gate en source, terwijl de invloed van de spanning tussen gate en drain te verwaarlozen is.Een nadeel van de FET is de gevoeligheid voor elektrostatische lading. Doordat de gate hoogohmig is, kan een eventuele statische lading niet wegvloeien en zo een hoge spanning opbouwen op de gate. Deze hoge spanning kan de FET onherstelbaar beschadigen (ESD).In tegenstelling tot een 'gewone' bipolaire transistor, die een 'diode-effect' vertoont, waarbij de stroom slechts in één richting kan lopen en daarbij een spanningsval van meestal 0,7 volt heeft, gedraagt een FET zich als een transconductor met twee gebieden.Bij een negatieve kniespanning of lager op de gate is de FET volledig geïsoleerd. Neemt de spanning af, dan zit de FET in het actieve werkgebied. In dit werkgebied heeft de FET twee karakteristieken. Bij een lage source-drain spanning is sprake van een redelijk lineaire weerstand doordat er geen n-p of p-n-overgang aanwezig is, maar slechts een enkele p- of n-laag. Dus de drainstroom is rechtevenredig met de drain-source spanning. In dit gebied worden signaal-FETs gebruikt als instelbare weerstand voor bijvoorbeeld toonregeling of volumeregeling. Maar ook vermogens-FETs als schakelaar met een doorlaatweerstand van slechts 0,02 ohm in bijvoorbeeld omvormers. Bij een hogere omslag source-drainspanning komt de FET in verzadiging en gedraagt de FET zich als een vrijwel ideale stroombron, beter dan een transistor. Hoe verder de gatespanning stijgt c.q. minder negatief wordt, hoe kleiner de weerstand en hoe hoger de stroombronstroomsterkte in hun respectievelijke gebieden. Bij een gatespanning van circa 10V boven de sourcespanning (dit alles bij een n-channel type) is de minimale weerstand resp. hoogste waarde van de sterkte van de stroombron bereikt. De gevoeligheid van de gatespanning op de drainstroom wordt transconductantie genoemd en wordt in milli- of microsiemens uitgedrukt. In dit werkgebied worden FETs in signaalversterkerschakelingen gebruikt. Er is extra aandacht nodig om FETs als signaalversterker te gebruiken, omdat ze zich slechts met compensatieschakelingen voldoende lineair gedragen. Al deze FETs hebben karakteristieke eigenschappen. In een schakeling kunnen ze niet zonder meer verwisseld worden. Zo zijn J-FETs zowel gevoelig voor de gate-drainspanning als de gate-sourcespanning. MOSFETs van het "enhancement-" of verrijkingstype isoleren of sperren als de gatespanning gelijk is aan de sourcespanning; pas met een positieve gatespanning komen deze in geleiding.Verder bestaat nog de GaAs-FET een FET op basis van galliumarsenide in plaats van silicium.
  • Il transistor a effetto di campo, anche conosciuto con l'abbreviazione FET, è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica digitale e diffusa, in maniera minore, nell'elettronica analogica.Si tratta di un substrato di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, al quale sono applicati quattro terminali: una porta, una sorgente, un pozzo ed un substrato; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso alla sorgente e se non presente è connesso al terminale esterno della porta. Il principio di funzionamento del transistor a effetto di campo si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante la formazione di un campo elettrico al suo interno. Il processo di conduzione coinvolge solo i portatori di carica maggioritari, pertanto questo tipo di transistore è detto unipolare.La diversificazione dei metodi e dei materiali usati by realizzazione del dispositivo ha portato alla distinzione di tre principali famiglie di FET: JFET, MESFET e MOSFET. Il JFET, abbreviazione di Junction FET, è dotato di una giunzione p-n come elettrodo rettificante; il MESFET, abbreviazione di Metal Semiconductor FET, una giunzione Schottky raddrizzante metallo-semiconduttore ed il MOSFET, abbreviazione di Metal Oxide Semiconductor FET, genera il campo elettrico grazie ad una struttura metallica esterna, separata dalla giunzione da uno strato di dielettrico.Il transistor a effetto di campo è stato inventato da Julius Edgar Lilienfeld in 1925, ma i primi dispositivi costruiti, i JFET, risalgono 1952, quando fu tecnologicamente possibile realizzarli. Il Fet più diffuso è il MOSFET, realizzato da Dawon Kahng e Martin Atalla nel 1959 presso i Bell Laboratories. Insieme al transistor a giunzione bipolare, il FET è il transistor più diffuso in elettronica: a differenza del BJT esso presenta il vantaggio di avere il terminale porta di controllo isolato, nel quale non passa alcuna corrente; mentre ha lo svantaggio di non essere in grado di offrire molta corrente in uscita. In genere i circuiti con transistor FET hanno infatti una alta impedenza di uscita, erogando quindi correnti molto deboli.
  • 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門(ゲート)を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。接合型トランジスタが2種類のキャリアを用いるバイポーラトランジスタの一種であることに対して、電界効果トランジスタはいずれかのキャリアしか用いないユニポーラトランジスタの一種である。このページでは主にSiなどの無機半導体について記述する。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。
  • Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
  • Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field-effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet. Die am weitesten verbreitete Art des Feldeffekttransistors ist der MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).Entdeckt wurde das Prinzip des Feldeffekttransistors im Jahr 1925 von Julius Lilienfeld. Damals war es aber noch nicht möglich, einen solchen FET auch tatsächlich herzustellen. Halbleitermaterial der notwendigen Reinheit als Ausgangsmaterial kommt in der Natur nicht vor und Methoden zur Erzeugung hochreinen Halbleitermaterials waren noch nicht bekannt. Insofern waren auch die speziellen Eigenschaften von Halbleitern noch nicht ausreichend erforscht. Erst mit der Herstellung hochreiner Halbleiterkristalle (Germanium) Anfang der 1950er-Jahre wurde dieses Problem gelöst. Aber erst durch die Silizium-Halbleitertechnologie (u. a. thermische Oxidation von Silizium) in den 1960er-Jahren konnten erste Labormuster des FET hergestellt werden.
  • El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
  • 전계효과 트랜지스터(field effect transistor, 약자 FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 단극 트랜지스터(unipolar transistor)로 분류된다.또니장효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있어 구조의 긴요해서 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적에 적절해서 현대의 집적 회로에 주류가 되고 있으며, 논리 회로 소자의 집적 회로 외에 아날로그 스위치/전자 볼륨에도 응용된다. 극초단파이상에서는 규소보다 캐리어의 이동도가 빠른 갈륨 비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 FET가 사용되고 있다.
  • Полевият транзистор е транзистор, при който електрическата проводимост на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в полупроводников материал, се контролира от електрическо поле, създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от биполярните транзистори липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от електрони или само от дупки. Електрическите характеристики на полевите транзистори са близки до тези на електронните лампи тип пентод. В началото на електрическата характеристика има и една част в която поведението е като триодна лампа, но тя се ползва по-рядко (обикновено в измерителни прибори). Тъй като обикновено имат голямо входно съпротивление, полевите транзистори могат да се използват и като резистори, управлявани по напрежение. Минималното съпротивление на наситен транзистор е от порядъка на 0,1 Ω и по-малко.За изводите (електродите) на полевите транзистори се използват чуждите наименования сорс, гейт и дрейн (от англ. source, gate и drain), а в руската техническа литература съответно исток, затвор и сток. При МОП-транзисторите съществува и четвърти елемент, подложка, прилежащ до канала, но рядко се споменава защото почти винаги е свързан към сорса. Чрез прилагане на напрежение между гейта и подложката или между гейта и канала (сорса) се управлява проводимостта между сорса и дрейна. За разлика от биполярните транзистори, токът протичащ в управляващата верига е пренебрежимо малък и управлението се извършва само по напрежение.За изработване на полевите транзистори се използват стандартните технологични процеси на обработка на полупроводници, като в носещата монокристална полупроводникова пластина се създава специална зона или проводящ канал. Каналът на полевия транзистор е или легиран (обогатен) с електрони, за да се получи полупроводник с n-тип проводимост, или пък е обеднен на електрони, за да се получи полупроводник с p-тип проводимост. Заобикалящата го област е с противоположния тип проводимост, а между двете възниква P-N преход.
  • Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT).
  • El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resistències controlades per voltatge.La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal. La regió activa dels TFTs (thin-film transistors, o transistors de pel·lícula fina), per altra banda, és una pel·lícula que es deposita sobre un substrat (usualment vidre, ja que la principal aplicació dels TFTs és les pantalles de cristall líquid o LCDs).
  • FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal caracteristica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
  • Unipolární tranzistor je polovodičový prvek, jehož označení unipolární vyjadřuje, že přenos náboje je v tomto tranzistoru uskutečňován pouze majoritními (většinovými) nosiči náboje (na rozdíl od bipolárního tranzistoru). Menšinové nosiče náboje jsou pro funkci součástky nežádoucí - jsou parazitního charakteru. Skládá se z polovodičů typu N a P, přičemž výrazně převládá jeden z nich.Pro velký vstupní odpor se těmto tranzistorům také říká tranzistory řízené elektrickým polem (FET, Field-Effect Transistors). Velký vstupní odpor je velkou výhodou unipolárních tranzistorů oproti bipolárním, jejichž malý vstupní odpor se nepříznivě projevuje při zesilování signálů ze zdrojů s velkým vnitřním odporem. Vstupním obvodem unipolárního tranzistoru tak neteče proud a je, podobně jako elektronka, řízen napětím. Řídící elektrodou teče buď jen malý proud ekvivalentní proudu diody v závěrném směru nebo jí neteče prakticky žádný proud.Další výhodou tohoto tranzistoru je, že v I. kvadrantu je jeho VA charakteristika téměř lineární, proto jej často používáme v analogovém režimu (nejčastěji jako zesilovač), kde způsobuje velmi malé nelineární zkreslení.Tyto výhody umožňují využívat unipolární tranzistor v obvodech s vysokou hustotou integrace. Z principu funkce bipolárního tranzistoru totiž vzniká Jouleovo teplo, které není schopný miniaturní čip odvést.Nevýhodou (danou právě vysokou vstupní impedancí) je možnost snadného poškození unipolárních tranzistorů statickým nábojem, zvláště při manipulaci před zapojením do obvodů.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageExternalLink
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 440296 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 10026 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 41 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 105474628 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdfs:comment
  • Un transistor à effet de champ (FET pour Field Effect Transistor) est un dispositif semiconducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique.
  • Tranzystor polowy, tranzystor unipolarny, FET (ang. Field Effect Transistor) – tranzystor, w którym sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego.
  • 電界効果トランジスタ(でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET)は、ゲート電極に電圧をかけ、チャネルの電界により電子または正孔の流れに関門(ゲート)を設ける原理で、ソース・ドレイン端子間の電流を制御するトランジスタである。接合型トランジスタが2種類のキャリアを用いるバイポーラトランジスタの一種であることに対して、電界効果トランジスタはいずれかのキャリアしか用いないユニポーラトランジスタの一種である。このページでは主にSiなどの無機半導体について記述する。有機半導体を用いたものについては有機電界効果トランジスタを参照。
  • Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
  • Transistor efek–medan (FET) adalah salah satu jenis transistor menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktifitas suatu kanal dari jenis pembawa muatan tunggal dalam bahan semikonduktor. FET kadang-kadang disebut sebagai transistor ekakutub untuk membedakan operasi pembawa muatan tunggal yang dilakukannya dengan operasi dua pembawa muatan pada transistor dwikutub (BJT).
  • Alan Etkili Transistörlerin (AET) tarihi 1920'lere kadar uzanır. Fakat, üretilmesindeki zorluklar nedeniyle ancak 1960'larda ilk alan etkili transistörler gerçekleştirilebilmiştir. AET yapısı, silikon kristal ile silikon-dioksid arasında çok temiz bir arayüz olmasında dayandığı için yarı iletken teknolojisi yeteri gelişmeden güvenilir bir yapıda üretilememiştir.Temelde, alan etkili transistörler iletken, yalıtkan ve yarı iletken oluşan bir sığa yapısına sahiptirler.
  • The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are unipolar transistors as they involve single-carrier-type operation.
  • Een veldeffecttransistor, meestal aangeduid als FET (field-effect-transistor), is een unipolaire transistor met gewoonlijk drie aansluitingen: de source (S), de drain (D) en de gate (G). Bij een MOSFET is er nog een vierde aansluiting, het substraat (B van bulk), die meestal niet naar buiten uitgevoerd is, maar intern verbonden met de source. Speciale typen zoals de "dual gate"-MOSFET met twee gates, hebben extra aansluitingen.
  • FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga.
  • Il transistor a effetto di campo, anche conosciuto con l'abbreviazione FET, è una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica digitale e diffusa, in maniera minore, nell'elettronica analogica.Si tratta di un substrato di materiale semiconduttore drogato, solitamente il silicio, al quale sono applicati quattro terminali: una porta, una sorgente, un pozzo ed un substrato; quest'ultimo, se presente, è generalmente connesso alla sorgente e se non presente è connesso al terminale esterno della porta.
  • Unipolární tranzistor je polovodičový prvek, jehož označení unipolární vyjadřuje, že přenos náboje je v tomto tranzistoru uskutečňován pouze majoritními (většinovými) nosiči náboje (na rozdíl od bipolárního tranzistoru). Menšinové nosiče náboje jsou pro funkci součástky nežádoucí - jsou parazitního charakteru.
  • El transistor d'efecte camp (Field-Effect Transistor o FET, en anglès) és en realitat una família de transistors que es basen en el camp elèctric per controlar la conductivitat d'un "canal" en un material semiconductor. Els FET, com tots els transistors, poden plantejar-se com resistències controlades per voltatge.La majoria dels FET estan fets usant les tècniques de processament de semiconductors habituals, emprant l'oblia monocristal·lina semiconductora com la regió activa, o canal.
  • El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
  • 전계효과 트랜지스터(field effect transistor, 약자 FET)는 게이트 전극에 전압을 걸어 채널의 전기장에 의하여 전자 또는 양공이 흐르는 관문(게이트)이 생기게 하는 원리로 소스, 드레인의 전류를 제어하는 트랜지스터이다. 트랜지스터의 분류 상 바이폴라 트랜지스터와 대비되어 단극 트랜지스터(unipolar transistor)로 분류된다.또니장효과 트랜지스터는 게이트 아래에 놓인 절연층에 의해 축전기 구조가 형성되므로, 공지층에 의한 유사 교류 축전기만을 가지는 접합형 트랜지스터에 비해 동작 속도가 느리고 전송 컨덕턴스(gm)가 낮다는 문제가 있지만 게이트 전류가 거의 0인 장점이 있어 구조의 긴요해서 접합형 트랜지스터보다 고밀도 집적에 적절해서 현대의 집적 회로에 주류가 되고 있으며, 논리 회로 소자의 집적 회로 외에 아날로그 스위치/전자 볼륨에도 응용된다.
  • Полевият транзистор е транзистор, при който електрическата проводимост на активната област между 2 електрода или т.нар. „канал“, създаден целенасочено в полупроводников материал, се контролира от електрическо поле, създавано от трети електрод. Понякога полевите транзистори се наричат униполярни, защото за разлика от биполярните транзистори липсва инжекция на токоносители и електронният ток се определя или само от електрони или само от дупки.
  • Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field-effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Defektelektronen. Sie werden bei tiefen Frequenzen – im Gegensatz zu den Bipolartransistoren – weitestgehend leistungs- bzw. verlustlos geschaltet.
rdfs:label
  • Transistor à effet de champ
  • Alan etkili transistör
  • Feldeffekttransistor
  • Field-effect transistor
  • Transistor a effetto di campo
  • Transistor d'efecte camp
  • Transistor de efecto campo
  • Transistor de efeito de campo
  • Transistor efek–medan
  • Tranzystor polowy
  • Unipolární tranzistor
  • Veldeffecttransistor
  • Полеви транзистор
  • Полевой транзистор
  • 電界効果トランジスタ
  • 장효과 트랜지스터
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageDisambiguates of
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of