Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du du grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui provient du mot transistor.

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du du grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui provient du mot transistor. Il se comporte comme une bascule synchrone, c'est-à-dire qu'il reste commandé à l'allumage, par la gâchette (g), mais pas à l'extinction qui est provoquée par le passage du courant principal Iak à une valeur inférieure au courant de maintien IH.Les premiers thyristors commerciaux sont sortis en 1956. Leur capacité à commander une grande quantité de puissance et de tension associée à une grande compacité leur a permis de trouver de nombreux champs d'applications dans l'électronique de puissance : ils servent ainsi dans les convertisseurs statiques tels que les gradateurs, les redresseurs pilotés, les onduleurs, pour la commande des moteurs électriques, que ce soit dans l'industrie, le ferroviaire, l'avionique ou l'automobile, pour les lignes électriques HVDC, etc. Ils sont particulièrement adaptés quand la puissance est élevée mais la fréquence basse.Les thyristors classiques se servent du passage par zéro du courant pour s'ouvrir, cela les rend inutilisables seuls pour la commande de courant continu. Des modifications de structure permettent d'ouvrir les thyristors grâce au signal de la gâchette, par exemple dans le cas des GTO. Par ailleurs, le régime de fonctionnement conduction/blocage des thyristors étant en tout ou rien, ils ne sont pas adaptés pour la réalisation d'amplificateurs analogiques.Le thyristor est parfois dénommé SCR (Silicon Controlled Rectifier, soit « redresseur silicium commandé »)
  • Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik. Es ist ein Kofferwort aus den beiden Bezeichnungen Thyratron und Transistor.Ein Thyristor ist ein Halbleiterbauelement, das aus vier oder mehr Halbleiterschichten wechselnder Dotierung aufgebaut ist. Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente, das heißt, sie sind im Ausgangszustand nichtleitend und können durch einen kleinen Strom an der Gate-Elektrode eingeschaltet werden. Nach dem Einschalten bleibt der Thyristor auch ohne Gatestrom leitend. Ausgeschaltet wird er durch Unterschreiten eines Mindeststroms, des sogenannten Haltestroms.
  • 사이리스터(Thyristor)란, 제어단자(G)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A)과 음극(K) 사이를 도통(導通)시킬 수 있는 3단자의 반도체 소자이다. 실리콘제어정류기(Silicon Controlled Rectifier,SCR)라고도 불린다. PNPN의 4중 구조를 하고 있다. P형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 P게이트, N형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 N게이트라고 부른다. 원리는 그림과 같이 PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터를 조합한 복합 회로와 등가이다.게이트에 일정한 전류를 통과시키면 양극과 음극간이 도통(導通, turn on)한다. 도통을 정지(턴 오프)하기 위해서는, 양극과 음극간의 전류를 일정치 이하로 할 필요가 있다.이 특징을 살려 한 번 도통시키면 통과전류가 0이 될 때까지 도통 상태를 유지해야 하는 곳에 사용된다(카메라의 strobe 제어 등). 특히 대전력을 제어할 경우 전류 0의 타이밍에 OFF가 되기 때문에 서지 방지가 뛰어나다.파일:Thyristor.svg
  • El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un único sentido. Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.El dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo PNPN entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos PNP y NPN, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado a la unión J2 (unión NP). Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio (SCR); otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los dispositivos DIAC y TRIAC.Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en los años 1960. Aunque un origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950, el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercialización por parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de General Electric.
  • Tyrystor – element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektroda przyłączona do warstwy środkowej – bramką (G, od ang. gate – bramka).
  • Een thyristor is een halfgeleider met de werking van een elektronische schakelaar die geschikt is om grote vermogens bij hoge spanningen met betrekkelijk weinig verlies te schakelen.
  • ГРАДИВНИ ЕЛЕМЕНТИ!Наименованието тиристор идва от THYRatron и TransISTOR, поради факта, че обединява качества както на тиратрона, така и на транзистора.Тиристорът (от гръцки тира-врата) е полупроводников електронен елемент. Тиристорът представлява управляем многослоен диод. Има нелинейна волт-амперна характеристика с две стабилни състояния (с ниска и висока проводимост) в права посока и притежава свойства на електрически вентил. Най-разпространените тиристори имат четирислойна р-n-p-n структура и три p-n-прехода. Тиристорите се използват като електронни ключове с които могат да се превключват електрически вериги с високо напрежение (500÷1000 V) и с големи токове (50÷500 А). Поради по-добрите си качества в сравнение с механичните прекъсвачи тиристорите намират приложение в пускови схеми, регулатори, токоизправители и т.н.
  • サイリスタ (Thyristor) とは主にゲート (G) からカソード (K) へゲート電流を流すことにより、アノード (A) とカソード (K) 間を導通させることが出来る3端子の半導体素子である。SCR(Silicon Controlled Rectifier: シリコン制御整流子)とも呼ばれる。近年はスイッチング周波数を高く採ることが容易なトランジスタが台頭しているが、トランジスタに匹敵するスイッチング周波数をもったものや、サイリスタの持ち味である大電力にも耐えられる性能、そして新しい半導体材料やPIN接合で設計できるなど、サイリスタの魅力は十分にある。
  • O nome Tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores multicamadas, que operam em regime de chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras numa seqüência P-N-P-N (três junções semicondutoras), apresentando um comportamento funcional. Os tiristores permitem por meio da adequada ativação do terminal de controle, o chaveamento do estado de bloqueio para estado de condução, sendo que alguns tiristores (mas não todos) permitem também o chaveamento do estado de condução para estado de bloqueio, também pelo terminal de controle. Como exemplo de tiristores, podemos citar o SCR e o TRIAC.No caso do tiristor SCR este se assemelha a uma fechadura pelo fato da corrente poder fluir pelo dispositivo em um único sentido, entrando pelo terminal de anodo e saindo pelo terminal de catodo. No entanto difere de um diodo porque mesmo quando o dispositivo está diretamente polarizado ele não consegue entrar em condução enquanto não ocorrer a ativação do seu terminal de controle (terminal denominado porta, ou gate em inglês). Ao invés de usar um sinal de permanência continua na porta (como nos TBJs e MOSFETs) como sinal de controle, os tiristores são comutados ao ligamento pela aplicação de um pulso ao terminal de porta, que normalmente pode ser de curta duração. Uma vez comutado para o estado de ligado, o tiristor SCR permanecerá por tempo indefinido neste estado enquanto o dispositivo estiver diretamente polarizado e a corrente de anodo se mantiver acima de um patamar mínimo.Para os SCRs, o sinal de controle é um pulso de corrente, tiristores DB-GTO usam um pulso de tensão e os LASCRs um pulso de luz aplicado diretamente a junção do dispositivo por meio de fibra ótica.A invenção do tiristor no fim dos anos 50 do século passado foi responsável por um grande surto de evolução tecnológica da eletrônica de potência, que se estendeu pelos anos 60 e propiciou no anos 70 o início da implantação da eletrônica de potência em escala industrial. A principal vantagem dos tiristores é o controle de grande quantidade de energia. Essa característica faz com que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle eletrônico de potência quanto na conversão de energia.Os SCRs (Silicon Controlled Rectifier) são dispositivos semicondutores cuja condição de sentido direto é comandável através da aplicação de um pulso de corrente ao terminal de Porta (ou gate em inglês). A condução, uma vez iniciada se mantém, mesmo na ausência do sinal no terminal de porta, até que a corrente que o atravessa caia abaixo de um determinado valor, o qual denominamos de Corrente de Manutenção de Condução, em inglês Holding Current (IH). Em sentido inverso, o SCR comporta-se como um diodo normal. Os SCR's são empregados em corrente alternada como retificadores controlados, e quando utilizados em corrente contínua comportam-se como chaves. O SCR é apenas um tipo de tiristor, mas devido ao seu disseminado uso na indústria, muitas vezes os termos tiristor e SCR são confundidos. Os TRIAC's são dispositivos semicondutores comumente utilizados em comutação de corrente alternada.Já os Diacs são dispositivos semicondutores de avalanche bidirecional, também da classe dos tiristores e de junção PNPN. Possuem a propriedade de apresentarem muito alta impedância, se a tensão entre seus dois terminais for mantida abaixo de uma tensão, chamada comumente de Tensão de Ruptura. Se esta tensão, geralmente em torno dos 30V, for ultrapassada, o Diac passa a conduzir corrente elétrica, com uma brusca queda da impedância do mesmo. Os Diacs são geralmente utilizados como auxiliares de disparo em Triacs, em osciladores de relaxação.
  • Tiristorea egoera solidoko osagai elektronikoa da. Lau geruza ditu, bi N motako eta beste bi P motako erdieroaleak tartekatzen (PNPN) ditu.Normalean SCRari tiristore deritzo gehien hedatuta dagoen tiristore mota delako.
  • Un rectificador controlat de silici, tiristor o SCR (de l'anglès silicon controlled rectifier) és un dispositiu semiconductor d'estat sòlid de 4 capes (NPNP o PNPN) que controla el flux de corrent. Posseeix tres entrades: ànode, càtode i porta. La porta és l'encarregada de controlar el pas de corrent entre ànode i càtode. El funcionament és paregut al del díode rectificador, però l'activació sols es produeix quan apliquem un corrent en la porta. TiristorEn l'estat normal d'apagat, el dispositiu restringeix el flux el corrent de fuita. Quan el corrent entre la porta i la font excedeix un cert punt, el dispositiu s'activa i condueix el corrent. L'estat d'actiu segueix fins i tot després d'extingir el corrent de la porta mentre el corrent que passe pel dispositiu estiga per sobre del corrent de manteniment. Una vegada el corrent baixa d'aquest nivell el dispositiu s'apaga. Si el voltatge aplicat s'incrementa ràpidament, pot induir el suficient corrent de fuita com per a fer que el dispositiu s'engegue, però açò redueix la seua vida útil.Els SCRs s'usen en la indústria per a produir voltatges variables en corrent continu a partir d'una línia de corrent altern per a alimentar motors de DC (normalment 5-100 HP). També s'usen en alguns vehicles elèctrics per a modular el voltatge de treball en un circuit Jacobson.
  • Tyristor je polovodičová součástka sloužící ke spínání elektrického proudu (nejčastěji výkonových obvodů), fungující jako řízený elektronický ventil.Tyristor je čtyřvrstvá spínací součástka (obvykle PNPN), která nevykazuje usměrňující účinky jako dioda, avšak je možné ji ovládat (spínat) pomocí impulsu do řídicí elektrody G (Gate). Anoda (A) a katoda (K) se v obvodu nesmí zaměnit, zátěž je vždy připojena k anodě.Jedná se o velice účinný nástroj pro řízení velmi výkonných elektrických strojů. V moderních elektrických lokomotivách se používá nejčastěji pro pulzní regulaci výkonu trakčních motorů pro stejnosměrný proud. K regulaci výkonu asynchronních motorů se používají vyspělejší zařízení IGBT.
  • Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор, изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. По сравнению, например, с транзисторными ключами, управление тиристором имеет некоторые особенности. Переход тиристора из одного состояния в другое в электрической цепи происходит скачком (лавинообразно) и осуществляется внешним воздействием на прибор: либо напряжением (током), либо светом (для фототиристора). После перехода тиристора в открытое состояние он остаётся в этом состоянии даже после прекращения управляющего сигнала, если протекающий через тиристор ток превышает некоторую величину, называемую током удержания.
  • Il tiristore o SCR (Silicon Controlled Rectifier) è dal punto di vista elettrico pressoché equivalente al diodo con la sola differenza che la conduzione diretta avviene solamente in seguito all'applicazione di un opportuno segnale di innesco su un terzo terminale denominato gate. Perché il segnale di innesco sia valido deve superare un valore di corrente minimo che dipenda dal tiristore e dalla tensione anodo-catodo presente in interdizione.La conduzione permane anche alla cessazione del segnale e fino a che la corrente diretta non scenda sotto un valore minimo di mantenimento (detto corrente di tenuta), anche in seguito all'inversione della polarità della tensione A-K.La conduzione si può instaurare anche se la tensione diretta supera un valore pari all'incirca al limite di rottura in polarizzazione diretta detta tensione di breakover (poiché le correnti di deriva diventano non trascurabili e tali da attivare il dispositivo).È da notare che nella tecnologia CMOS e in particolare nella struttura integrata di un inverter realizzato in tecnologia n-well o p-well, è presente un tiristore (SCR) parassita che genera il cosiddetto fenomeno del latch-up. Tale fenomeno ha l'effetto di creare un cammino a bassa impedenza fra l'alimentazione e la massa, con conseguente distruzione delle piste di alimentazione vicino alla zona di innesco. La sensibilità di innesco di questo fenomeno chiaramente indesiderato dipende dal layout della struttura CMOS.In particolare, in presenza di n-well e p-well non isolati da dielettrico il fenomeno del latch-up non è tecnicamente eliminabile; tuttavia si può ridurre praticamente a zero la possibilità di innesco dell'effetto con specifiche soluzioni tecnologiche. La principale consiste nel disporre nelle vicinanze del confine tra i well una serie di contatti alle tensioni di polarizzazione del well (+VDD per i p-well e -VSS per gli n-well). Costruttivamente il tiristore è costituito da un quadruplo strato di semiconduttori p-n-p-n, con l'anodo collegato allo stato p esterno, il catodo allo strato n opposto ed il gate al p intermedio. Lo si può considerare equivalente ad un circuito con due transistor collegati come in figura:Si può notare la presenza di due BJT collegati in retroazione l'uno all'altro, ed è proprio questo effetto a permettere l'innesco. Dato che la corrente di base del BJT NPN è regolata dal terminale di gate esso può innescare il dispositivo in quanto un aumento della corrente di base comporta un aumento della corrente di collettore e quindi un aumento della corrente di base del PNP che comporterà un ulteriore aumento di corrente in base al NPN. Dunque si instaura un meccanismo di retroazione positiva tale da portare in breve tempo il tiristore dallo stato di alta impedenza a quello di bassa impedenza e quindi conduzione.Nonostante tutto non è solo la corrente di gate a innescare il dispositivo, o almeno non solo se applicata direttamente. Una brusca variazione della tensione di gate può provocare l'insorgere di una corrente di spostamento nelle capacità parassite del dispositivo e questo può essere sufficiente ad accenderlo.L'impiego tipico si ha nei raddrizzatori di tensione controllabili, in grado di fornire tensioni continue regolabili da una tensione alternata fissa. Altri impieghi si hanno negli inverter e nei convertitori di tensione alternata. Il circuito di innesco degli SCR fa sì che questo si trovi in ritardo rispetto alla tensione anodo-catodo; questo provoca un frazionamento della tensione raddrizzata (il cosiddetto Controllo di fase).Qualora si debbano gestire potenze molto elevate si impiega una combinazione di due tiristori in antiparallelo oppure un singolo triac, ottenendo una più efficace dissipazione del calore e migliori caratteristiche elettriche.La disponibilità di tiristori è ampia, spaziando dai più piccoli in grado di gestire pochi ampere ai modelli che trovano impiego nella regolazione della velocità di motori elettrici nella trazione ferroviaria ed altre applicazioni industriali.
  • A thyristor is a two- to four-lead solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act exclusively as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased (that is, while the voltage across the device is not reversed). A three-lead thyristor is designed to control the larger current of its two leads by combining that current with the smaller current or voltage of its other lead - known as its control lead. On the other hand, a two-lead thyristor is designed to 'switch on' if the potential difference between its leads is sufficiently large - a value representing its breakdown voltage.Some sources define silicon controlled rectifiers and thyristors as synonymous. Other sources define thyristors as a larger set of devices with at least four layers of alternating N and P-type material.The first thyristor devices were released commercially in 1956. Because thyristors can control a relatively large amount of power and voltage with a small device, they find wide application in control of electric power, ranging from light dimmers and electric motor speed control to high-voltage direct current power transmission. Thyristors may be used in power-switching circuits, relay-replacement circuits, inverter circuits, oscillator circuits, level-detector circuits, chopper circuits, light-dimming circuits, low-cost timer circuits, logic circuits, speed-control circuits, phase-control circuits, etc. Originally thyristors relied only on current reversal to turn them off, making them difficult to apply for direct current; newer device types can be turned on and off through the control gate signal. A thyristor is not a proportional device like a transistor. In other words, a thyristor can only be fully on or off, while a transistor can lie in between on and off states. This makes a thyristor unsuitable as an analog amplifier, but useful as a switch.
  • SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda. Logo pada skema elektronik untuk SCR:Berkas:Scrlogo02.jpgGuna SCR: Sebagai rangkaian Saklar (switch control) Sebagai rangkaian pengendali (remote control)Diagram dan skema SCR:Berkas:Scrdiagram01.jpgAda tiga kelompok besar untuk semikonduktor ini yang sama-sama dapat berfungsi sebagai Saklar (Switching) pada tegangan 120 volt sampai 240 volt. Ketiga kelompok tersebut adalah SCR ini sendiri, DIAC dan TRIAC.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 36721 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 29013 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 95 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 109290699 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:année
  • 1977 (xsd:integer)
  • 1978 (xsd:integer)
  • 1980 (xsd:integer)
  • 1988 (xsd:integer)
  • 1991 (xsd:integer)
  • 2004 (xsd:integer)
  • 2006 (xsd:integer)
  • 2011 (xsd:integer)
  • HBD855/D. 2006
  • septembre 1974
prop-fr:auteur
  • Dr. Richard G. Hoft, Professor of Electrical Engineering, University of Missouri at Columbia , The Enginneer Staff of International Rectifier
prop-fr:collection
  • Électricité
prop-fr:colonnes
  • 2 (xsd:integer)
prop-fr:commons
  • Category:Thyristors
prop-fr:consultéLe
  • 2014-01-28 (xsd:date)
  • 2014-01-29 (xsd:date)
prop-fr:fr
  • Diode Shockley
prop-fr:group
  • "anglais"
prop-fr:id
  • onsemi
  • semi
prop-fr:isbn
  • 3 (xsd:integer)
  • 978 (xsd:integer)
prop-fr:lang
  • en
prop-fr:langue
  • de
  • en
prop-fr:lienÉditeur
  • General Electric
  • Éditions Bréal
  • Semikron
prop-fr:lieu
  • Lausanne
  • Nuremberg
  • Paris
  • New Delhi
prop-fr:lireEnLigne
  • http://www.powerguru.org/wordpress/wp-content/uploads/2012/12/SEMIKRON_application_manual_power_semiconductors.pdf
  • http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/HBD855-D.PDF
prop-fr:nom
  • Fox
  • Korn
  • Golden
  • Terras
  • Barrade
  • Bühler
  • Connoly
  • Gorss
  • Hempel
  • Locher
  • Nicolai
  • Reimann
  • Subrahmanyam
  • Tursky
  • Wintrich
  • Wu
prop-fr:numéroD'édition
  • 2 (xsd:integer)
  • 5 (xsd:integer)
prop-fr:pagesTotales
  • 191 (xsd:integer)
  • 240 (xsd:integer)
  • 260 (xsd:integer)
  • 276 (xsd:integer)
  • 320 (xsd:integer)
  • 410 (xsd:integer)
  • 411 (xsd:integer)
  • 466 (xsd:integer)
  • 528 (xsd:integer)
  • 687 (xsd:integer)
prop-fr:passage
  • 104 (xsd:integer)
prop-fr:prénom
  • Albert
  • Philippe
  • Werner
  • R.W.
  • S.J.
  • A.P.
  • Arendt
  • D.R.
  • Dr.-Ing. Hans-Peter
  • F.B.
  • Hansruedi
  • R.E
  • S.R.
  • Tobias
  • Ulrich
  • Vedam
prop-fr:titre
  • Précis de physique et électricité appliquées en productique
  • Thyristor Theory and Design Considerations – ON Semiconductor
  • Application Manual Power Semiconductors
  • Convertisseurs statiques
  • Leistungshalbleiter–Handbuch
  • Power Semiconductor Handbook
  • SCR Manual
  • SCR applications handbook
  • Thyristor control of electric drives
  • Électronique de puissance : méthodologie et convertisseurs élémentaires
prop-fr:trad
  • Shockley diode
prop-fr:traducteur
  • John R. Welsh
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
prop-fr:wiktionary
  • thyristor
prop-fr:éditeur
  • General Electric
  • Bréal
  • International Rectifier
  • Peter R.W. Martin – Semikron International
  • Presses polytechniques et universitaires romande
  • Presses polytechniques et universitaires romanes
  • SCILLC
  • Semikron
  • Tata McGrall-Hill
dcterms:subject
rdf:type
rdfs:comment
  • Un thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du du grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui provient du mot transistor.
  • Tyrystor – element półprzewodnikowy składający się z 4 warstw w układzie p-n-p-n. Jest on wyposażony w 3 elektrody, z których dwie są przyłączone do warstw skrajnych, a trzecia do jednej z warstw środkowych. Elektrody przyłączone do warstw skrajnych nazywa się katodą (K) i anodą (A), a elektroda przyłączona do warstwy środkowej – bramką (G, od ang. gate – bramka).
  • Een thyristor is een halfgeleider met de werking van een elektronische schakelaar die geschikt is om grote vermogens bij hoge spanningen met betrekkelijk weinig verlies te schakelen.
  • サイリスタ (Thyristor) とは主にゲート (G) からカソード (K) へゲート電流を流すことにより、アノード (A) とカソード (K) 間を導通させることが出来る3端子の半導体素子である。SCR(Silicon Controlled Rectifier: シリコン制御整流子)とも呼ばれる。近年はスイッチング周波数を高く採ることが容易なトランジスタが台頭しているが、トランジスタに匹敵するスイッチング周波数をもったものや、サイリスタの持ち味である大電力にも耐えられる性能、そして新しい半導体材料やPIN接合で設計できるなど、サイリスタの魅力は十分にある。
  • Tiristorea egoera solidoko osagai elektronikoa da. Lau geruza ditu, bi N motako eta beste bi P motako erdieroaleak tartekatzen (PNPN) ditu.Normalean SCRari tiristore deritzo gehien hedatuta dagoen tiristore mota delako.
  • Tyristor je polovodičová součástka sloužící ke spínání elektrického proudu (nejčastěji výkonových obvodů), fungující jako řízený elektronický ventil.Tyristor je čtyřvrstvá spínací součástka (obvykle PNPN), která nevykazuje usměrňující účinky jako dioda, avšak je možné ji ovládat (spínat) pomocí impulsu do řídicí elektrody G (Gate). Anoda (A) a katoda (K) se v obvodu nesmí zaměnit, zátěž je vždy připojena k anodě.Jedná se o velice účinný nástroj pro řízení velmi výkonných elektrických strojů.
  • Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства.
  • Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik. Es ist ein Kofferwort aus den beiden Bezeichnungen Thyratron und Transistor.Ein Thyristor ist ein Halbleiterbauelement, das aus vier oder mehr Halbleiterschichten wechselnder Dotierung aufgebaut ist. Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente, das heißt, sie sind im Ausgangszustand nichtleitend und können durch einen kleinen Strom an der Gate-Elektrode eingeschaltet werden.
  • 사이리스터(Thyristor)란, 제어단자(G)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A)과 음극(K) 사이를 도통(導通)시킬 수 있는 3단자의 반도체 소자이다. 실리콘제어정류기(Silicon Controlled Rectifier,SCR)라고도 불린다. PNPN의 4중 구조를 하고 있다. P형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 P게이트, N형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 N게이트라고 부른다. 원리는 그림과 같이 PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터를 조합한 복합 회로와 등가이다.게이트에 일정한 전류를 통과시키면 양극과 음극간이 도통(導通, turn on)한다. 도통을 정지(턴 오프)하기 위해서는, 양극과 음극간의 전류를 일정치 이하로 할 필요가 있다.이 특징을 살려 한 번 도통시키면 통과전류가 0이 될 때까지 도통 상태를 유지해야 하는 곳에 사용된다(카메라의 strobe 제어 등).
  • SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.
  • El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente transmiten la corriente en un único sentido.
  • Un rectificador controlat de silici, tiristor o SCR (de l'anglès silicon controlled rectifier) és un dispositiu semiconductor d'estat sòlid de 4 capes (NPNP o PNPN) que controla el flux de corrent. Posseeix tres entrades: ànode, càtode i porta. La porta és l'encarregada de controlar el pas de corrent entre ànode i càtode. El funcionament és paregut al del díode rectificador, però l'activació sols es produeix quan apliquem un corrent en la porta.
  • Il tiristore o SCR (Silicon Controlled Rectifier) è dal punto di vista elettrico pressoché equivalente al diodo con la sola differenza che la conduzione diretta avviene solamente in seguito all'applicazione di un opportuno segnale di innesco su un terzo terminale denominato gate.
  • ГРАДИВНИ ЕЛЕМЕНТИ!Наименованието тиристор идва от THYRatron и TransISTOR, поради факта, че обединява качества както на тиратрона, така и на транзистора.Тиристорът (от гръцки тира-врата) е полупроводников електронен елемент. Тиристорът представлява управляем многослоен диод. Има нелинейна волт-амперна характеристика с две стабилни състояния (с ниска и висока проводимост) в права посока и притежава свойства на електрически вентил.
  • O nome Tiristor engloba uma família de dispositivos semicondutores multicamadas, que operam em regime de chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mínimo quatro camadas semicondutoras numa seqüência P-N-P-N (três junções semicondutoras), apresentando um comportamento funcional.
  • A thyristor is a two- to four-lead solid-state semiconductor device with four layers of alternating N and P-type material. They act exclusively as bistable switches, conducting when their gate receives a current trigger, and continue to conduct while they are forward biased (that is, while the voltage across the device is not reversed).
rdfs:label
  • Thyristor
  • Penyearah terkendali silikon
  • Rectificador controlat de silici
  • Thyristor
  • Thyristor
  • Thyristor
  • Tiristor
  • Tiristor
  • Tiristore
  • Tiristore
  • Tirisztor
  • Tristör
  • Tyristor
  • Tyrystor
  • Тиристор
  • Тиристор
  • サイリスタ
  • 사이리스터
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is skos:subject of
is foaf:primaryTopic of