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- La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, . La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »). La technologie PMC est inventée par le docteur Michael Kozicki, qui est professeur d’ingénierie électrique à l’Arizona State University. En 1996, il a fondé la société pour la commercialiser. (fr)
- La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, . La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »). La technologie PMC est inventée par le docteur Michael Kozicki, qui est professeur d’ingénierie électrique à l’Arizona State University. En 1996, il a fondé la société pour la commercialiser. (fr)
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- La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, . La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »). (fr)
- La cellule de métallisation programmable (programmable metallization cell en anglais, ou PMC) est une forme de mémoire non volatile en cours d'élaboration à l’université d’état d’Arizona (Arizona State University) et son entreprise dérivée, . La PMC est une des technologies qui sont mises au point pour remplacer la très populaire mémoire flash, la surpassant à la fois en durée de vie, économie de puissance électrique, et densité de stockage. Infineon Technologies, qui a breveté la technologie en 2004, l’appelle sous le nom de conductive-bridging RAM, ou CBRAM. NEC a une variante appelée « Nanobridge » et Sony appelle leur version « mémoire électrolytique » (« electrolytic memory »). (fr)
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- CBRAM (sv)
- Programmable Metallization Cell (fr)
- 可編程金屬化單元 (zh)
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