La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs ré-inscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension.

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs ré-inscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension. Ainsi, la mémoire flash stocke les bits de données dans des cellules de mémoire, mais les données sont conservées en mémoire lorsque l'alimentation électrique est coupée.Sa vitesse élevée, sa durée de vie et sa faible consommation (qui est même nulle au repos) la rendent très utile pour de nombreuses applications : appareils photo numériques, téléphones cellulaires, imprimantes, assistants personnels (PDA), ordinateurs portables ou dispositifs de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques, clés USB. De plus, ce type de mémoire ne possède pas d'éléments mécaniques, ce qui lui confère une grande résistance aux chocs.
  • Pamięć flash (ang. flash memory) – rodzaj nieulotnej pamięci komputerowej, stanowiącej rozwinięcie konstrukcyjne i kontynuację pamięci typu EEPROM. Dostęp do danych zapisanych w pamieci flash wykorzystuje tzw. stronicowanie pamięci: operacje odczytu, zapisu lub kasowania wykonywane są jednocześnie na ustalonej konstrukcyjnie liczbie komórek, pogrupowanych w strukturę będącą wielokrotnością słowa maszynowego (bajtu). Cechą wyróżniającą pamięć flash jest wykorzystanie technologii komórek wielostanowych (ang. multi level cell, MLC).
  • Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine; die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Sie gewährleisten eine nichtflüchtige Speicherung bei gleichzeitig niedrigem Energieverbrauch.Flash-Speicher sind portabel und miniaturisiert, es lassen sich jedoch im Gegensatz zu gewöhnlichem EEPROM-Speicher bei neuen Flash-EEPROM Bytes, die kleinsten adressierbaren Speichereinheiten, nicht einzeln löschen.Flash-Speicher sind auch langsamer als gewöhnliche Festwertspeicher (ROM).
  • Flaş Bellek, kaynak gücü kesildiğinde bile sakladığı veriyi tutabilen ve elektronik olarak içeriği silinip, yeniden programlanabilen bellek türüdür. Flaş bellek teknolojisi çoğunlukla bellek kartlarında ve USB bellek aygıtlarında kullanılır. EEPROM türündeki belleklerin büyük miktardaki veri öbeklerinin programlanıp silinmesini sağlayan özel bir türüdür.
  • Flash paměť (nebo jen flash) je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (zapisovatelná) paměť s libovolným přístupem. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu EEPROM, lze programovat každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu ROM např. pro uložení firmware (např. ve vestavěných zařízeních). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat (např. přeprogramování novější verzí firmware) bez vyjmutí ze zařízení s použitím minima pomocných obvodů.
  • La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura. Quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM.In una memoria flash le informazioni vengono registrate in un array di Floating Gate MOSFET, una tipologia di transistor ad effetto di campo in grado di mantenere carica elettrica per un tempo lungo. Ogni transistor costituisce una "cella di memoria" che conserva il valore di un bit. Le nuove flash utilizzano delle celle multilivello che permettono di registrare il valore di più bit attraverso un solo transistor.Diversamente dalle tecnologie precedenti, la tecnologia Flash ha reso possibile il salvataggio o la cancellazione di dati in un unico passo, introducendo quindi un incredibile guadagno in velocità, e grazie alla non-volatilità è usata frequentemente nelle fotocamere digitali, nei lettori di musica portatili, nei cellulari, nelle pendrive (chiavette), nei palmari, nei moderni computer portatili e in molti altri dispositivi che richiedono un'elevata portabilità e una buona capacità di memoria per il salvataggio dei dati.Esistono principalmente due tipologie di memorie flash, dette NOR flash e NAND flash, che differiscono per l'architettura ed il procedimento di programmazione. Vi è anche una tipologia ibrida, la AND flash, che sfrutta le caratteristiche di entrambe le NOR e NAND.
  • La memòria flash o flaix, és una classe de memòria EEPROM que permet esborrar posicions de memòria amb una operació programable. Amb unes altres paraules, és un xip de memòria que manté el seu contingut sense tensió d'alimentació. És molt utilitzat en càmeres digitals, ordinadors personals portàtils i PDA's, telèfons, reproductors de música, videoconsoles, i més aplicacions electròniques. Tenen una gran capacitat de re-gravabilitat, emmagatzematge, mida petita, i compleix els requisits de medi ambient.
  • Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed.Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. The internal characteristics of the individual flash memory cells exhibit characteristics similar to those of the corresponding gates.Whereas EPROMs had to be completely erased before being rewritten, NAND type flash memory may be written and read in blocks (or pages) which are generally much smaller than the entire device. NOR type flash allows a single machine word (byte) to be written—​to an erased location—​or read independently.The NAND type is primarily used in main memory, memory cards, USB flash drives, solid-state drives, and similar products, for general storage and transfer of data. The NOR type, which allows true random access and therefore direct code execution, is used as a replacement for the older EPROM and as an alternative to certain kinds of ROM applications, whereas NOR flash memory may emulate ROM primarily at the machine code level; many digital designs need ROM (or PLA) structures for other uses, often at significantly higher speeds than (economical) flash memory may achieve.[citation needed] NAND or NOR flash memory is also often used to store configuration data in numerous digital products, a task previously made possible by EEPROMs or battery-powered static RAM.Example applications of both types of flash memory include personal computers, PDAs, digital audio players, digital cameras, mobile phones, synthesizers, video games, scientific instrumentation, industrial robotics, medical electronics, and so on. In addition to being non-volatile, flash memory offers fast read access times, as fast as dynamic RAM, although not as fast as static RAM or ROM. Its mechanical shock resistance helps explain its popularity over hard disks in portable devices, as does its high durability, being able to withstand high pressure, temperature, immersion in water, etc.Although flash memory is technically a type of EEPROM, the term "EEPROM" is generally used to refer specifically to non-flash EEPROM which is erasable in small blocks, typically bytes. Because erase cycles are slow, the large block sizes used in flash memory erasing give it a significant speed advantage over non-flash EEPROM when writing large amounts of data. As of 2013, flash memory costs much less than byte-programmable EEPROM and has become the dominant memory type wherever a system requires a significant amount of non-volatile, solid state storage.
  • Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объёму, скорости работы и низкому энергопотреблению, флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. Серьёзным недостатком данной технологии является ограниченный срок эксплуатации носителей, а также чувствительность к электростатическому разряду.
  • Memória flash é uma memória de computador do tipo EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), desenvolvida na década de 1980 pela Toshiba, cujos chips são semelhantes ao da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re-escrevível que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação. Esta memória é comumente usada em cartões de memória, flash drives USB (pen drives),SSD, MP3 Players, dispositivos como os iPods com suporte a vídeo, PDAs, armazenamento interno de câmeras digitais e celulares.Memória flash é do tipo não volátil o que significa que não precisa de energia para manter as informações armazenadas no chip. Além disso, a memória flash oferece um tempo de acesso rápido,embora não tão rápido como a memória volátil (DRAM utilizadas para a memória principal em PCs) e melhor resistência do que discos rígidos. Estas características explicam a popularidade de memória flash em dispositivos portáteis. Outra característica da memória flash é que quando embalado em um "cartão de memória" são extremamente duráveis, sendo capaz de resistir a uma pressão intensa, variações extremas de temperatura, e até mesmo imersão em água.Uma limitação é que a memória flash tem um número finito de modificações (escrita/exclusão). Porém este efeito é parcialmente compensado por alguns chip firmware ou drivers de arquivos de sistema de forma dinâmica e escreve contando o remapeamento dos blocos, a fim de difundir as operações escritas entre os setores.
  • Onder flashgeheugen verstaat men een niet-vluchtige vorm van extern geheugen op basis van de EEPROM-techniek. Deze techniek maakt het mogelijk om door middel van één programmeeractie op verschillende plekken in het geheugen te schrijven of te wissen. Flashgeheugen is niet-vluchtig geheugen: het behoudt de data als het apparaat wordt uitgeschakeld.De naam "FLASH" is ontstaan, omdat dit type EEPROM in één keer (in een flits) volledig of gedeeltelijk gewist kan worden, om er vervolgens iets anders in te schrijven.Er zijn twee types flashgeheugen: NOR- en NAND-flash, gebaseerd op de schakelingen die worden gebruikt om een data-item op te slaan.Flashgeheugen wordt onder andere gebruikt als BIOS-ROM in pc's, in MP3-spelers en USB-sticks. Het wordt ook gebruikt in geheugenkaarten voor digitale camera's, mobiele telefoons en pda's.Flashgeheugen wordt veel gebruikt om ingebedde systemen te booten en om configuratiedata op te slaan in plaats van op een gewone harde schijf zoals in een pc. Om een aantal redenen wordt vaak schrijftoegang tot het bestandssysteem op de flash genegeerd; tenzij voor upgrades van dergelijke systemen. Door het ontbreken van mechanische onderdelen (zoals die aanwezig zijn in een harde schijf), is flashgeheugen ook robuuster en daardoor te verkiezen bij ontwerpen die niet vast gemonteerd zijn. Om een hogere capaciteit te bereiken wordt flashgeheugen gekoppeld, zodat er meer dan 32 gigabytes (32 GiB) te gebruiken is.Een van de grote nadelen van flashgeheugen is dat de schrijftoegang zeer traag is. Alvorens een dataonderdeel gewijzigd kan worden, moet een volledige sector gewist worden (alle bits worden op '1' gezet), waarna de nodige bits op '0' gezet worden. Een typische grootte van een flashchip-sector is 64 kB: om een byte te wijzigen (bijvoorbeeld een karakter), moeten er meer dan 64.000 bytes worden gewist en herschreven.Het maximumaantal keren dat een individuele geheugencel kan worden geprogrammeerd ligt rond de 1 miljoen maal. Omdat met name de FAT-gegevens elke keer bij het schrijven opnieuw worden geprogrammeerd, moest er een oplossing worden bedacht voor de relatief korte levensduur van de veelgebruikte cellen in het geheugenelement, omdat de rest anders eveneens onbruikbaar zou worden. De oplossing is gelegen in het feit dat er in flashgeheugens een kleine processor is ingebouwd die de uitwendige adressering omzet in een interne dynamische adressering, waarbij steeds wordt gewisseld tussen de individuele cellen, zodat ze allemaal praktisch even vaak worden geprogrammeerd. De totale levensduur is hiermee verveelvoudigd.Door de robuuste uitvoering is flashgeheugen bestand tegen: stoten en vallen ontploffingen en ander onheil.
  • La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
  • フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリ。フラッシュEEPROMまたはフラッシュROMとも言う。EEPROMの一種であるが、従来のEEPROMと違って1バイト単位の書き換え(消去と書き込み)は出来ず、あらかじめブロック単位で消去してから書き込みを行う。一般にはEEPROMの一種としてROMに分類されるが、現在は書き換えを前提に多用されてもいるため、ROMでもRAMでもない不揮発性メモリとして別に分類されている場合もある。記憶セルの構造は、紫外線照射により消去するUV-EPROMに似ているが、浮遊ゲートとシリコン基板間の酸化膜(絶縁体)が極めて薄くなっている。
  • За други значения на английската заемка „флаш“ (flash) вижте флаш. За други значение на бърз, "светкавичен" виж светкавица (пояснение).Флаш-памет е вид енергонезависима препрограмируема компютърна памет. Реализира се върху полупроводникови чипове по планарна технология.
  • Memori kilat (flash memory) adalah sejenis EEPROM yang mengizinkan banyak lokasi memori untuk dihapus atau ditulis dalam satu operasi pemrograman. Istilah awamnya, dia adalah suatu bentuk dari chip memori yang dapat ditulis, tidak seperti chip memori akses acak/RAM, memori ini dapat menyimpan datanya tanpa membutuhkan penyediaan listrik. Memori ini biasanya digunakan dalam kartu memori, kandar kilat USB (USB flash drive), pemutar MP3, kamera digital, dan telepon genggam.
  • A flashmemória egy nem felejtő, megmaradó ("non-volatile") típusú számítógépes adattároló technológia, mely elektronikusan törölhető és újraprogramozható. A tároló eszköznek nincs szüksége tápfeszültségre ahhoz, hogy a benne tárolt információt megőrizze. Elsődlegesen memóriakártyákban, USB flash drive-okban (pl. pen drive) és SSD-kben azaz szilárdtest-meghajtókban használják őket.A flashmemória az EEPROM egy speciális változata. A számítógépek alaplapján található ROMBIOS-t napjainkban legtöbbször már flashmemória tartalmazza. Ez lehetővé teszi a gyártóknak, hogy úgy változtassanak az alaplap képességein, hogy ehhez csak egy programot kell elérhetővé tenni a felhasználók számára az interneten, amellyel átprogramozzák a BIOS-ban tárolt programot. Az EEPROM-mal ellentétben ezt blokkonként törlik és programozzák. A blokkok több helyen helyezkedhetnek el. A korai flashekben az egész chipet egyszerre kellett törölni. A flashmemóriának sokkal kisebb a költsége, mint az EEPROM-nak, ezért meghatározó technológiává vált olyan helyeken, ahol megmaradó szilárdtest adattárolóra van szükség. Az alkalmazás példái a digitális audio-lejátszók (mp3-lejátszók), digitális kamerák, mobiltelefonok, különféle memóriakártyák. A flashmemóriát használják az USB-csatolású pendrive-okban is, melyek az adatok általános tárolói és szállítói a számítógépek között. Valamelyest népszerűségre tettek szert a játékiparban is, ahol szintén gyakran használják őket az EEPROM-ok helyett, gyorsaságuk miatt.
  • 플래시 메모리(flash memory, 문화어: 흘래쉬기억기, 전기일괄소거형기억기)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 이제는 플래시 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었다.대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기 (MP3), 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이때도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageExternalLink
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 1536899 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 19740 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 75 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 110059551 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
prop-fr:wikibooks
  • Cours de premier cycle universitaire Électronique numérique : logique
prop-fr:wikibooksTitre
  • la logique combinatoire
dcterms:subject
rdfs:comment
  • La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs ré-inscriptible, c'est-à-dire une mémoire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension.
  • Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine; die genaue Bezeichnung lautet Flash-EEPROM. Sie gewährleisten eine nichtflüchtige Speicherung bei gleichzeitig niedrigem Energieverbrauch.Flash-Speicher sind portabel und miniaturisiert, es lassen sich jedoch im Gegensatz zu gewöhnlichem EEPROM-Speicher bei neuen Flash-EEPROM Bytes, die kleinsten adressierbaren Speichereinheiten, nicht einzeln löschen.Flash-Speicher sind auch langsamer als gewöhnliche Festwertspeicher (ROM).
  • Flaş Bellek, kaynak gücü kesildiğinde bile sakladığı veriyi tutabilen ve elektronik olarak içeriği silinip, yeniden programlanabilen bellek türüdür. Flaş bellek teknolojisi çoğunlukla bellek kartlarında ve USB bellek aygıtlarında kullanılır. EEPROM türündeki belleklerin büyük miktardaki veri öbeklerinin programlanıp silinmesini sağlayan özel bir türüdür.
  • La memoria flash —derivada de la memoria EEPROM— permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
  • フラッシュメモリ(flash memory)は、書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の半導体メモリ。フラッシュEEPROMまたはフラッシュROMとも言う。EEPROMの一種であるが、従来のEEPROMと違って1バイト単位の書き換え(消去と書き込み)は出来ず、あらかじめブロック単位で消去してから書き込みを行う。一般にはEEPROMの一種としてROMに分類されるが、現在は書き換えを前提に多用されてもいるため、ROMでもRAMでもない不揮発性メモリとして別に分類されている場合もある。記憶セルの構造は、紫外線照射により消去するUV-EPROMに似ているが、浮遊ゲートとシリコン基板間の酸化膜(絶縁体)が極めて薄くなっている。
  • За други значения на английската заемка „флаш“ (flash) вижте флаш. За други значение на бърз, "светкавичен" виж светкавица (пояснение).Флаш-памет е вид енергонезависима препрограмируема компютърна памет. Реализира се върху полупроводникови чипове по планарна технология.
  • Memori kilat (flash memory) adalah sejenis EEPROM yang mengizinkan banyak lokasi memori untuk dihapus atau ditulis dalam satu operasi pemrograman. Istilah awamnya, dia adalah suatu bentuk dari chip memori yang dapat ditulis, tidak seperti chip memori akses acak/RAM, memori ini dapat menyimpan datanya tanpa membutuhkan penyediaan listrik. Memori ini biasanya digunakan dalam kartu memori, kandar kilat USB (USB flash drive), pemutar MP3, kamera digital, dan telepon genggam.
  • 플래시 메모리(flash memory, 문화어: 흘래쉬기억기, 전기일괄소거형기억기)는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성 컴퓨터 기억 장치를 말한다. EEPROM과 다르게 여러 구역으로 구성된 블록 안에서 지우고 쓸 수 있다. 이제는 플래시 메모리의 가격이 EEPROM 보다 훨씬 싸기 때문에, 비휘발성 고체 상태(solid-state) 저장 매체가 상당량 필요한 곳에서는 가장 많이 사용되는 메모리 종류가 되었다.대표적인 활용 예로 디지털 음악 재생기 (MP3), 디지털 카메라, 휴대 전화를 들 수 있다. 일반적인 데이터를 저장하고 컴퓨터 사이에 데이터를 옮기는 용도로 USB 드라이브를 많이 사용하는데, 이때도 플래시 메모리가 쓰인다. 또한 게임 자료를 저장하기 위해 EEPROM 대신 플래시 메모리가 자주 사용되고 있어 게임 시장에서도 인기를 얻고 있다.
  • La memòria flash o flaix, és una classe de memòria EEPROM que permet esborrar posicions de memòria amb una operació programable. Amb unes altres paraules, és un xip de memòria que manté el seu contingut sense tensió d'alimentació. És molt utilitzat en càmeres digitals, ordinadors personals portàtils i PDA's, telèfons, reproductors de música, videoconsoles, i més aplicacions electròniques.
  • Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии.
  • Onder flashgeheugen verstaat men een niet-vluchtige vorm van extern geheugen op basis van de EEPROM-techniek. Deze techniek maakt het mogelijk om door middel van één programmeeractie op verschillende plekken in het geheugen te schrijven of te wissen.
  • A flashmemória egy nem felejtő, megmaradó ("non-volatile") típusú számítógépes adattároló technológia, mely elektronikusan törölhető és újraprogramozható. A tároló eszköznek nincs szüksége tápfeszültségre ahhoz, hogy a benne tárolt információt megőrizze. Elsődlegesen memóriakártyákban, USB flash drive-okban (pl. pen drive) és SSD-kben azaz szilárdtest-meghajtókban használják őket.A flashmemória az EEPROM egy speciális változata.
  • Pamięć flash (ang. flash memory) – rodzaj nieulotnej pamięci komputerowej, stanowiącej rozwinięcie konstrukcyjne i kontynuację pamięci typu EEPROM. Dostęp do danych zapisanych w pamieci flash wykorzystuje tzw. stronicowanie pamięci: operacje odczytu, zapisu lub kasowania wykonywane są jednocześnie na ustalonej konstrukcyjnie liczbie komórek, pogrupowanych w strukturę będącą wielokrotnością słowa maszynowego (bajtu).
  • Flash paměť (nebo jen flash) je nevolatilní (semipermanentní) elektricky programovatelná (zapisovatelná) paměť s libovolným přístupem. Paměť je vnitřně organizována po blocích a na rozdíl od pamětí typu EEPROM, lze programovat každý blok samostatně (obsah ostatních bloků je zachován). Paměť se používá jako paměť typu ROM např. pro uložení firmware (např. ve vestavěných zařízeních). Výhodou této paměti je, že ji lze znovu naprogramovat (např.
  • Memória flash é uma memória de computador do tipo EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory), desenvolvida na década de 1980 pela Toshiba, cujos chips são semelhantes ao da Memória RAM, permitindo que múltiplos endereços sejam apagados ou escritos numa só operação. Em termos leigos, trata-se de um chip re-escrevível que, ao contrário de uma memória RAM convencional, preserva o seu conteúdo sem a necessidade de fonte de alimentação.
  • La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura. Quando viene utilizzata come ROM viene anche chiamata flash ROM.In una memoria flash le informazioni vengono registrate in un array di Floating Gate MOSFET, una tipologia di transistor ad effetto di campo in grado di mantenere carica elettrica per un tempo lungo.
  • Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed.Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates.
rdfs:label
  • Mémoire flash
  • Flash memory
  • Flash paměť
  • Flash-Speicher
  • Flashgeheugen
  • Flashmemória
  • Flaş bellek
  • Memori kilat
  • Memoria flash
  • Memoria flash
  • Memòria flaix
  • Memória flash
  • Pamięć flash
  • Флаш-памет
  • Флеш-память
  • フラッシュメモリ
  • 플래시 메모리
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:computingMedia of
is dbpedia-owl:product of
is dbpedia-owl:wikiPageDisambiguates of
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is prop-fr:média of
is prop-fr:produits of
is foaf:primaryTopic of