En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La longueur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est courte, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique I(V) de la jonction est donc fortement non linéaire : c'est celle d'une diode.La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi que la plupart des autres types de diodes contiennent ainsi une jonction p-n. Les cellules photovoltaïques sont également constituées d'une jonction p-n de grande surface dans laquelle les paires électron-trou créées par la lumière sont séparées par le champ électrique de la jonction. Enfin, un type de transistor, le transistor bipolaire, est réalisé en mettant deux jonctions p-n en sens inverse – transistor pnp ou npn.
  • pn接合(ぴーえぬせつごう、pn junction)とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。
  • Een pn-overgang (Engels: p-n junction) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd naar p-gedoteerd halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction).Hoewel een pn-overgang in principe gemaakt kan worden door materiaal van het p-type in nauw contact te brengen met materiaal van het n-type, is dit praktisch moeilijk te realiseren. Men vormt daarom een pn-overgang door in een enkel stukje van het basismateriaal gebieden van verschillende dotering te creëren, en wel zo dat in één deel de p-dotering overheerst en in een ander deel de n-dotering. De grens tussen beide vormt een pn-overgang.
  • Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n.W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w siatce krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą.
  • Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
  • Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.
  • P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah:
  • A p-n átmenet egy N-típusú félvezető és egy P-típusú félvezető találkozásánál alakul ki. Ilyenkor a szennyező atomok eloszlása megváltozik. A PN átmenet a két különböző adalékolású anyag határán jön létre, és csak néhány µm vastagságú. A két réteg érintkezésénél a töltéshordozók koncentrációkülönbsége miatt diffúzió indul meg.
  • Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos semiconductors, un de tipus N i un altre de tipus P.Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat impuresa, s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres.
  • p-n-преход е област в полупроводник, където p-проводимостта преминава в n-проводимост. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников кристал или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при дифузия). Механизмът на действие на повечето полупроводникови елементи се основава на свойствата на P-n прехода - граничната област в полупроводников кристал между две обособени области с различна примесна проводимост. При нормална температура всички примесни нива са възбудени и концентрацията на основните носители е съответно: Pp на Р носителите в Р областта и nn на n носителите в n областта. Същевременно в двете области има и неосновни токови носители с концентрация Pn и np като тези носители са с пъти по-малко от основните.Този градиент на концентрацията е причина за появата на два дифузионни потока: на P носители от Р към n областта и на n към Р. Резултатният дифузионен ток през P-n прехода е: Iдиф. = Iдиф.Р+Iдиф.n. Проникналите P носители в n областта рекомбинират с електроните, поради което концентрацията на електроните в тази област намалява. Аналогично проникналите в P областта n носители рекомбинират с p носителите.
  • p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
  • A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor material, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. It is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scattering the electrons and holes.[citation needed]p–n junctions are elementary "building blocks" of most semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, LEDs, and integrated circuits; they are the active sites where the electronic action of the device takes place. For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor, consists of two p–n junctions in series, in the form n–p–n or p–n–p.The discovery of the p–n junction is usually attributed to American physicist Russell Ohl of Bell Laboratories.A Schottky junction is a special case of a p–n junction, where metal serves the role of the p-type semiconductor.
  • Denomina-se junção PN a estrutura fundamental dos componentes eletrônicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. É formada pela junção metalúrgica de dois cristais, geralmente silício (Si) e (atualmente menos comum) Germânio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atómico. Estes dois tipos de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto químico.
  • PN Přechod je oblast na rozhraní příměsového polovodiče typu P a polovodiče typu N. Přechod P-N se chová jako hradlo, tzn. propouští elektrický proud pouze jedním směrem.Přechod P-N se vytváří difuzí materiálu typu P do materiálu typu N. Materiál typu P potom pronikne rovnoměrně do materiálu typu N. Přechod P-N může být připojen v závěrném, nebo propustném směru, proto propouští proud jedním směrem, jako výše zmíněné hradlo.Vlastností přechodu P-N se používá v polovodičových součástkách - diodě, tranzistoru, fotodiodě a dalších.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageExternalLink
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 1380873 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 6223 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 16 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 110006273 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdfs:comment
  • En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle.
  • pn接合(ぴーえぬせつごう、pn junction)とは、半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。
  • Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.
  • P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor tipe-N dan tipe-P bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah:
  • A p-n átmenet egy N-típusú félvezető és egy P-típusú félvezető találkozásánál alakul ki. Ilyenkor a szennyező atomok eloszlása megváltozik. A PN átmenet a két különböző adalékolású anyag határán jön létre, és csak néhány µm vastagságú. A két réteg érintkezésénél a töltéshordozók koncentrációkülönbsége miatt diffúzió indul meg.
  • Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos semiconductors, un de tipus N i un altre de tipus P.Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat impuresa, s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres.
  • p-n-Перехо́д (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. p-n-Переход является основой для полупроводниковых диодов, триодов и других электронных элементов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
  • Denomina-se junção PN a estrutura fundamental dos componentes eletrônicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. É formada pela junção metalúrgica de dois cristais, geralmente silício (Si) e (atualmente menos comum) Germânio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atómico. Estes dois tipos de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto químico.
  • p-n-преход е област в полупроводник, където p-проводимостта преминава в n-проводимост. Може да бъде създаден чрез добавяне на различни примеси в един и същ полупроводников кристал или чрез заваряване на два кристала с различна проводимост. В зависимост от начина на създаване преходът може да бъде рязък (при заваряване или стопяване) или плавен (при дифузия).
  • Een pn-overgang (Engels: p-n junction) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd naar p-gedoteerd halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus).
  • A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor material, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. It is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant).
  • P-N 접합(P-N junction)은 N형 반도체와 P형 반도체를 정밀하게 접촉시켜서 만들 수 있다. 접합(면)이라는 말은 이 두가지 반도체가 만나는 부분을 가리킨다. P형과 N형의 경계부분은 다음 그림과 같이 생각할 수 있다.P-N 접합은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 공핍영역(depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 서로 끌어당겨서 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다.
  • Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico.
  • PN Přechod je oblast na rozhraní příměsového polovodiče typu P a polovodiče typu N. Přechod P-N se chová jako hradlo, tzn. propouští elektrický proud pouze jedním směrem.Přechod P-N se vytváří difuzí materiálu typu P do materiálu typu N. Materiál typu P potom pronikne rovnoměrně do materiálu typu N.
  • Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n.W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w siatce krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami.
rdfs:label
  • Jonction P-N
  • Giunzione p-n
  • Junció PN
  • Junção PN
  • P-n átmenet
  • P-n преход
  • P-n-Übergang
  • P-n-переход
  • PN 접합
  • Pertemuan p-n
  • Pn-overgang
  • Pn接合
  • Přechod P-N
  • P–n junction
  • Unión PN
  • Złącze p-n
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:knownFor of
is dbpedia-owl:wikiPageDisambiguates of
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is prop-fr:renomméPour of
is foaf:primaryTopic of