Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau.

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  • Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau. Ces atomes vont se substituer à certains atomes initiaux et ainsi introduire davantage d'électrons ou de trous.Les atomes de matériau dopant sont également appelés impuretés, et sont en phase diluée : leur concentration reste négligeable devant celle des atomes du matériau initial.
  • Legování (z něm. legieren, od lat. ligare, spojovat, svazovat) označuje metalurgický postup, při kterém dochází k přimísení legujících prvků k hlavnímu kovu, či slitině kovů za účelem zlepšení jeho mechanických vlastností. Tak se děje buď již při vsázce, nebo až po roztavení kovu. Postup je důležitý například při zpracování oceli. Při slévání drahých kovů označuje legování přimísení přísady pro dosažení žádoucí ryzosti, barvy a podobně.- slouží ke zlepšování vlastností kovů
  • En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
  • ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔(キャリア)の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するのに用いる。添加する不純物をドーパントと呼ぶ。半導体の場合、キャリアとして電子を供給するドーパントをドナー、正孔を供給するドーパントをアクセプタと呼ぶ。
  • Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta la conducibilità del semiconduttore. Un drogaggio pesante può fargli assumere proprietà elettriche simili a quelle di un metallo ("semiconduttore degenere").
  • Dalam produksi semikonduktor, doping menunjuk ke proses yang bertujuan menambah ketidakmurnian (impuritya) kepada semikonduktor sangat murni (juga disebut intrinsik) dalam rangka mengubah sifat listriknya. Ketidakmurnian ini tergantung dari jenis semikonduktor.Beberapa dopant biasanya ditambahkan ketika boule ditumbuhkan, memberikan setiap wafer doping awal yang hampir seragam. Untuk membedakan unsur sirkuit, wilayah terpilih (biasanya dikontrol oleh photolithografi) didop lebih lanjut dengan proses difusi atau implantasi ion, metode kedua lebih populer dalam produksi skala besar karena kemudahan pengontrolannya.Jumlah atom dopant yang dibutuhkan untuk menciptakan sebuah perbedaan dalam kemampuan sebuah semikonduktor sangat kecil. Bila sejumlah kecil atom dopant ditambahkan (dalam order 1 setiap 100.000.000 atom), doping ini disebut rendah atau ringan. Ketika lebih banyak atom dopant ditambahkan (dalam order 10.000) doping ini disebut sebagai berat atau tinggi. Hal ini ditunjukkan sebagai n+ untuk dopant tipe-n atau p+ untuk doping tipe-p. Penggambaran yang lebih detail tentang mekanisme doping dapat ditemukan dalam artikel semikonduktor.fi:Doping (puolijohde)ru:Легирование
  • Eine Dotierung oder das Dotieren (von lateinisch dotare, ,ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die bei diesem Vorgang eingebrachte Menge ist dabei sehr klein im Vergleich zum Trägermaterial (zwischen 0,1 und 100 ppm). Die Fremdatome sind Störstellen im Halbleitermaterial und verändern gezielt die Eigenschaften des Ausgangsmaterials, meistens die elektrische Leitfähigkeit oder die Kristallstruktur.Es gibt verschiedene Dotierungsverfahren, z. B. Diffusion, Elektrophorese, Resublimation oder Beschuss mittels hochenergetischen Teilchenkanonen unter Vakuum (Ionenimplantation).
  • Domieszkowanie – wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika lub materiału ceramicznego tworzących roztwory stałe. Domieszkowanie stosowane jest w celu modyfikacji wybranych właściwości materiału np.: optyczne, elektryczne, magnetyczne czy mechaniczne. Ilość wprowadzanej domieszki nie przekracza zazwyczaj kilku procent atomowych (kilka atomów domieszki na 100 atomów sieci macierzystej).
  • Doteren (Latijn: dotare, voorzien) is het inbrengen van onzuiverheden in een materiaal om de materiaaleigenschappen te veranderen. De term wordt typisch gebruikt in de halfgeleidertechnologie. Het zuivere, vaak kristallijne basismateriaal wordt gedoteerd met (voorzien van) bepaalde, zeer specifieke onzuiverheden, atomen van een ander materiaal. Daarmee wordt het oorspronkelijk isolerende basismateriaal een halfgeleider.Bij toevoegen van elementen uit de stikstofgroep van het periodiek systeem aan silicium, ontstaat het n-type halfgeleidende silicium. De elementen uit deze groep, stikstof (N), fosfor (P), arseen (As), antimoon (Sb), hebben vijf elektronen in hun buitenste schil, één meer dan silicium. Zo ontstaan vrije elektronen in het kristalrooster, dus een n-type halfgeleider.Bij toevoegen van elementen uit de boorgroep van het periodiek systeem aan silicium, ontstaat het p-type halfgeleidende silicium. De elementen uit deze groep, boor (B), aluminium (Al), gallium (Ga), hebben slechts drie buitenste elektronen, één minder dan silicium. Zo ontstaan er plaatselijke tekorten aan elektronen in het kristalrooster; zo'n tekort wordt een "gat" genoemd, zie elektronengat. Het resultaat is een p-type halfgeleider.
  • Nota: Se procura por dopagem em nível de desambiguação, consulte Dopagem.Se procura por dopagem bioquímica em humanos ou animais, consulte Dopagem bioquímica.Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
  • In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of semiconductor. Lightly and moderately doped semiconductors are referred to as extrinsic. A semiconductor doped to such high levels that it acts more like a conductor than a semiconductor is referred to as degenerate.In the context of phosphors and scintillators, doping is better known as activation.
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  • On considère en général qu'un cristal comporte : : atomes/cm3. L'une de nos hypothèses est que la concentration en impuretés doit rester négligeable devant celle des atomes du cristal, disons de deux ordres de grandeur. Prenons donc au maximum : : at/cm3 On peut faire varier la concentration des porteurs comme 1:1000, donc jusqu'à : at/cm3. Cela donne une marge de conductivité électrique allant de : à :-1cm-1. À titre de comparaison, les valeurs de conductivité sont d'environ : -1cm-1 pour un métal, et : -1cm-1 pour un isolant.
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  • Calcul de la gamme de conductivité
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  • Dans le domaine des semi-conducteurs, le dopage est l'action d'ajouter des impuretés en petites quantités à une substance pure afin de modifier ses propriétés de conductivité.Les propriétés des semi-conducteurs sont en grande partie régies par la quantité de porteurs de charge qu'ils contiennent. Ces porteurs sont les électrons ou les trous. Le dopage d'un matériau consiste à introduire, dans sa matrice, des atomes d'un autre matériau.
  • Legování (z něm. legieren, od lat. ligare, spojovat, svazovat) označuje metalurgický postup, při kterém dochází k přimísení legujících prvků k hlavnímu kovu, či slitině kovů za účelem zlepšení jeho mechanických vlastností. Tak se děje buď již při vsázce, nebo až po roztavení kovu. Postup je důležitý například při zpracování oceli. Při slévání drahých kovů označuje legování přimísení přísady pro dosažení žádoucí ryzosti, barvy a podobně.- slouží ke zlepšování vlastností kovů
  • ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔(キャリア)の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するのに用いる。添加する不純物をドーパントと呼ぶ。半導体の場合、キャリアとして電子を供給するドーパントをドナー、正孔を供給するドーパントをアクセプタと呼ぶ。
  • Con il termine drogaggio, nell'ambito dei semiconduttori, si intende l'aggiunta al semiconduttore puro ("intrinseco") di piccole percentuali di atomi non facenti parte del semiconduttore stesso allo scopo di modificare le proprietà elettroniche del materiale. Il drogaggio in genere aumenta la conducibilità del semiconduttore. Un drogaggio pesante può fargli assumere proprietà elettriche simili a quelle di un metallo ("semiconduttore degenere").
  • Domieszkowanie – wprowadzanie obcych jonów/atomów do sieci krystalicznej metalu, półprzewodnika lub materiału ceramicznego tworzących roztwory stałe. Domieszkowanie stosowane jest w celu modyfikacji wybranych właściwości materiału np.: optyczne, elektryczne, magnetyczne czy mechaniczne. Ilość wprowadzanej domieszki nie przekracza zazwyczaj kilku procent atomowych (kilka atomów domieszki na 100 atomów sieci macierzystej).
  • Nota: Se procura por dopagem em nível de desambiguação, consulte Dopagem.Se procura por dopagem bioquímica em humanos ou animais, consulte Dopagem bioquímica.Dopagem eletrônica ou simplemente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da eletrônica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício, notadamente este último, na era atual), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica (presença majoritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N, os elétrons, respectivamente para as adições de índio e de fósforo), para aplicação em dispositivos eletrônicos elementares de circuitos.
  • Dalam produksi semikonduktor, doping menunjuk ke proses yang bertujuan menambah ketidakmurnian (impuritya) kepada semikonduktor sangat murni (juga disebut intrinsik) dalam rangka mengubah sifat listriknya. Ketidakmurnian ini tergantung dari jenis semikonduktor.Beberapa dopant biasanya ditambahkan ketika boule ditumbuhkan, memberikan setiap wafer doping awal yang hampir seragam.
  • Eine Dotierung oder das Dotieren (von lateinisch dotare, ,ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder ins Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises. Die bei diesem Vorgang eingebrachte Menge ist dabei sehr klein im Vergleich zum Trägermaterial (zwischen 0,1 und 100 ppm).
  • Doteren (Latijn: dotare, voorzien) is het inbrengen van onzuiverheden in een materiaal om de materiaaleigenschappen te veranderen. De term wordt typisch gebruikt in de halfgeleidertechnologie. Het zuivere, vaak kristallijne basismateriaal wordt gedoteerd met (voorzien van) bepaalde, zeer specifieke onzuiverheden, atomen van een ander materiaal.
  • En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos.
  • In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of semiconductor. Lightly and moderately doped semiconductors are referred to as extrinsic.
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  • Dopage (semi-conducteur)
  • Domieszkowanie
  • Dopagem eletrônica
  • Dopaje (semiconductores)
  • Doping (semiconductor)
  • Doping (semikonduktor)
  • Doteren
  • Dotierung
  • Drogaggio
  • Legování
  • ドープ
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