Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz).

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz).
  • Туннельный диод – это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.
  • Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru PN přechodu, který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací, při kterém Fermiho energetické hladiny přecházejí až do valenčního, respektive vodivostního pásu.Tunelové diody se vyrábějí nejčastěji z galliumarsenidu (GaAs), u kterého dosahuje poměr proudu v maximu a minimu nejvyšších hodnot (20 až 65; u křemíku jen 3, u germania 5 až 15).Protože tunelový jev je vlastně kvantově mechanický jev související s relacemi neurčitosti, při kterém se v propustném směru uplatňují jen majoritní nositelé, kteří tunelují přes zakázaný pás rychlostí blízkou rychlosti světla ve vakuu, je tunelová dioda extrémně rychlým elektronickým prvkem použitelným do frekvencí v řádu několika desítek GHz. Malá závislost na vnitřní ionizaci je příčinou malé citlivosti na ionizující záření i na teplotní změny. Proto se počítalo s využitím tunelových diod v kosmickém výzkumu, oscilátorech, zesilovačích pro vysoké frekvence, čítačích atd.Ovšem s rozvojem bipolárních a unipolárních tranzistorů se tunelové diody přestaly sériově vyrábět pro jejich značné nedostatky – potřeba zdroje napětí s velikostí několika desetin voltu a malým vnitřním odporem, malá stabilita v oblasti záporného diferenciálního odporu, malá odolnost proti opačné polaritě napětí.
  • O diodo túnel ou díodo Esaki é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica.Recebeu o nome do físico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prêmio Nobel em Física pela descoberta do efeito túnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor.Ele funciona somente na área de resistência negativa, ou seja diminui a tensão aumenta a corrente, somente quando tem-se uma tensão muito próxima de zero (chamada de avalanche, do diodo zener), ou seja, ele só funciona como diodo túnel quando polarizado diretamente e sob tensões bem baixas, para tensões fora dessa região ele funciona como um diodo comum.Resumidamente, o diodo túnel só atua com propriedades especificas em baixas tensões.
  • Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement.
  • Тунелен диод е диод, при който се използва тунелния ефект, който се обяснява от квантовата механика.
  • Az alagútdióda, vagy más néven Esaki-dióda egy félvezető dióda, mely a kvantummechanikából ismert alagúthatás alapján működik.
  • El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dóna origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió.La presència del tram de resistència negativa permet la seva utilització com a component actiu (amplificador/oscil·lador). També es coneixen com díodes Esaki, en honor de l'home que va descobrir que una forta contaminació amb impureses podia causar un efecte de tunelització dels portadors de càrrega al llarg de la zona d'esgotament de la unió. Una característica important del díode túnel és la seva resistència negativa en un determinat interval de voltatges de polarització directa. Quan la resistència és negativa, el corrent disminueix en augmentar el voltatge. En conseqüència, el díode túnel pot funcionar com a amplificador, com oscil·lador o com biestable. Essencialment, aquest díode és un dispositiu de baixa potència per a aplicacions que involucren microones i que estan relativament lliures dels efectes de la radiació.
  • De tunneldiode of Esaki-diode is een diode met een speciale karakteristiek die bekendstaat als negatieve weerstand. De diode ontleent zijn naam aan Leo Esaki, en wordt onder andere gebruikt in oscillatoren, LC-kringen en hoogfrequente toepassingen met microgolven.
  • 에사키 다이오드(Esaki diode,Tunnel diode)는 반도체 다이오드의 일종이다. 터널 다이오드로도 불린다.1957년 8월 일본의 물리학자인 에사키 레오나에 의해 발명되었다. 에사키는 터널 효과와 관련하여 1973년 노벨 물리학상을 수상한다.이 다이오드도 PN 접합을 이용하고 있는데, N형 반도체와 P형 반도체 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 양자역학적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다.순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다. 이렇게 터널 효과를 이용하기 때문에 이 다이오드를 터널 다이오드라고 한다. 마루와 골 사이의 전압-전류는 부성저항형이며, 고주파 특성이 양호하므로 마이크로파의 발진, 증폭, 고속 스위칭(논리회로)에 이용된다. 반도체 재료로서는 저마늄, 갈륨비소, 규소가 주로 쓰이며, 고주파 영역에서 사용할 것을 고려하여 직렬 인덕턴스가 작은 용기에 넣어져 봉해 있다.
  • El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la radiación.
  • トンネルダイオード(tunnel diode)または江崎ダイオード(Esaki diode)は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。
  • A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor that is capable of very fast operation, well into the microwave frequency region, made possible by the use of the quantum mechanical effect called tunneling.It was invented in August 1958 by Leo Esaki when he was with Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony. In 1973 he received the Nobel Prize in Physics, jointly with Brian Josephson, for discovering the electron tunneling effect used in these diodes. Robert Noyce independently came up with the idea of a tunnel diode while working for William Shockley, but was discouraged from pursuing it.These diodes have a heavily doped p–n junction only some 10 nm (100 Å) wide. The heavy doping results in a broken bandgap, where conduction band electron states on the n-side are more or less aligned with valence band hole states on the p-side.Tunnel diodes were first manufactured by Sony in 1957 followed by General Electric and other companies from about 1960, and are still made in low volume today. Tunnel diodes are usually made from germanium, but can also be made from gallium arsenide and silicon materials. They are used in frequency converters and detectors. They have negative differential resistance in part of their operating range, and therefore are also used as oscillators, amplifiers, and in switching circuits using hysteresis.In 1977, the Intelsat V satellite receiver used a microstrip tunnel diode amplifier (TDA) front-end in the 14 to 15.5 GHz band.Such amplifiers were considered state-of-the-art, with better performance at high frequencies than any transistor-based front end.The highest frequency room-temperature solid-state oscillators are based on the resonant-tunneling diode (RTD).There is another type of tunnel diode called a metal–insulator–metal (MIM) diode, but present application appears restricted to research environments due to inherent sensitivities. There is also a metal–insulator–insulator–metal MIIM diode which has an additional insulator layer. The additional insulator layer allows "step tunneling" for precise diode control.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 36729 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 2485 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 26 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 110808308 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdfs:comment
  • Une diode à effet tunnel est un dipôle électrique semi-conducteur, qui remplit la fonction d'une diode dans les circuits où un temps de commutation très court devient indispensable (jusqu’à 5 GHz).
  • Туннельный диод – это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка с отрицательной дифференциальной проводимостью.
  • O diodo túnel ou díodo Esaki é um tipo de diodo semicondutor extremamente rápido, que opera na casa dos GHz, através da utilização dos efeitos da mecânica quântica.Recebeu o nome do físico Leo Esaki, que em 1973 recebeu o Prêmio Nobel em Física pela descoberta do efeito túnel utilizado neste tipo de diodo semicondutor.Ele funciona somente na área de resistência negativa, ou seja diminui a tensão aumenta a corrente, somente quando tem-se uma tensão muito próxima de zero (chamada de avalanche, do diodo zener), ou seja, ele só funciona como diodo túnel quando polarizado diretamente e sob tensões bem baixas, para tensões fora dessa região ele funciona como um diodo comum.Resumidamente, o diodo túnel só atua com propriedades especificas em baixas tensões.
  • Die Tunneldiode, 1957 entdeckt von dem Japaner Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement.
  • Тунелен диод е диод, при който се използва тунелния ефект, който се обяснява от квантовата механика.
  • Az alagútdióda, vagy más néven Esaki-dióda egy félvezető dióda, mely a kvantummechanikából ismert alagúthatás alapján működik.
  • De tunneldiode of Esaki-diode is een diode met een speciale karakteristiek die bekendstaat als negatieve weerstand. De diode ontleent zijn naam aan Leo Esaki, en wordt onder andere gebruikt in oscillatoren, LC-kringen en hoogfrequente toepassingen met microgolven.
  • トンネルダイオード(tunnel diode)または江崎ダイオード(Esaki diode)は、量子トンネル効果を使った半導体によるダイオードの一種で、高速動作を特徴としマイクロ波レベルの高周波回路でよく使われている。
  • Tunelová (Esakiho) dioda je dioda využívající tunelový jev v propustném směru PN přechodu, který je vyvolaný stavem degenerace zvyšováním koncentrací, při kterém Fermiho energetické hladiny přecházejí až do valenčního, respektive vodivostního pásu.Tunelové diody se vyrábějí nejčastěji z galliumarsenidu (GaAs), u kterého dosahuje poměr proudu v maximu a minimu nejvyšších hodnot (20 až 65; u křemíku jen 3, u germania 5 až 15).Protože tunelový jev je vlastně kvantově mechanický jev související s relacemi neurčitosti, při kterém se v propustném směru uplatňují jen majoritní nositelé, kteří tunelují přes zakázaný pás rychlostí blízkou rychlosti světla ve vakuu, je tunelová dioda extrémně rychlým elektronickým prvkem použitelným do frekvencí v řádu několika desítek GHz.
  • El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión.
  • El díode túnel és un díode semiconductor que té una unió PN, en la qual es produeix l'efecte túnel que dóna origen a una conductància diferencial negativa en un cert interval de la característica corrent - tensió.La presència del tram de resistència negativa permet la seva utilització com a component actiu (amplificador/oscil·lador).
  • 에사키 다이오드(Esaki diode,Tunnel diode)는 반도체 다이오드의 일종이다. 터널 다이오드로도 불린다.1957년 8월 일본의 물리학자인 에사키 레오나에 의해 발명되었다. 에사키는 터널 효과와 관련하여 1973년 노벨 물리학상을 수상한다.이 다이오드도 PN 접합을 이용하고 있는데, N형 반도체와 P형 반도체 두 영역의 첨가 불순물의 농도를 1019/cm3 정도 이상으로 높여 주면 두 영역 사이에서 터널효과, 즉 전류반송파의 양자역학적인 관통현상효과가 생겨 p-n 접합을 통한 전류반송파의 이동이 발생되며, 부성저항(전압은 증가하는 데 전류는 감소되는 특성)을 나타낸다.순방향 전압을 늘려 가면 전류가 일단 늘어나서 마루를 이루었다가 줄어들어 골이 되고, 다시 늘어나 보통의 다이오드 특성에 가까워진다. 이 전류의 마루가 형성되는 까닭은 불순물이 많이 들어 있어서 접합부의 장벽이 얇아지고 양자역학적인 터널 효과에 의해 전류가 흐르기 때문이다.
  • A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor that is capable of very fast operation, well into the microwave frequency region, made possible by the use of the quantum mechanical effect called tunneling.It was invented in August 1958 by Leo Esaki when he was with Tokyo Tsushin Kogyo, now known as Sony. In 1973 he received the Nobel Prize in Physics, jointly with Brian Josephson, for discovering the electron tunneling effect used in these diodes.
rdfs:label
  • Diode à effet tunnel
  • Alagútdióda
  • Dioda tunelowa
  • Diodo túnel
  • Diodo túnel
  • Díode túnel
  • Tunelová dioda
  • Tunnel diode
  • Tunneldiode
  • Tunneldiode
  • Тунелен диод
  • Туннельный диод
  • トンネルダイオード
  • 에사키 다이오드
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of