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  • La diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais electron backscatter diffraction ou EBSD, ou encore backscatter Kikuchi diffraction ou BKD) est une technique cristallographique microstructurale permettant de mesurer l'orientation cristallographique de nombreux matériaux, qui peut être utilisée pour déterminer la texture ou l'orientation préférentielle de n'importe quel matériau monocristallin ou polycristallin. L'EBSD peut être utilisée pour indexer et identifier les sept systèmes cristallins, et est appliquée à la cartographie d'orientation cristalline, l'étude des défauts, l'identification des phases, l'étude des joints de grains et de la morphologie, l'examen des hétérogénéités locales, l'identification des matériaux, la cartographie des déformations, et à l'aide de techniques complémentaires, l'identification physico-chimique. Traditionnellement, ces études sont souvent réalisées par diffraction des rayons X (XRD), diffraction de neutrons et/ou diffraction des électrons dans un microscope électronique en transmission (MET).Expérimentalement, l'EBSD est réalisée avec un microscope électronique à balayage (MEB) équipé d'un détecteur EBSD comportant au moins un écran phosphorescent, un objectif compact et une caméra CCD à faible lumière. Les systèmes EBSD du commerce sont livrés typiquement avec une ou deux caméras CCD différentes : pour des mesures rapides, la puce CCD a une résolution standard de 640×480 pixels ; pour des mesures plus lentes mais plus précises, la résolution de la puce CCD peut atteindre 1600×1200 pixels. Cependant, avec des résolutions plus élevées, la vitesse de sortie de données est plus lente. Le plus gros avantage des détecteurs à haute résolution est leur sensibilité plus élevée. Pour les mesures de texture et d'orientation, les images sont "binned" de façon à réduire leur taille et les temps de calcul. Par conséquent, le transfert et l'analyse de presque 1000 images/s est possible si le signal de diffraction est suffisamment fort.Pour effectuer une mesure EBSD, un échantillon polycristallin plat et poli est placé dans la chambre du MEB, avec un angle fortement incliné (~70° par rapport à l'horizontale) vers la caméra de diffraction, pour augmenter le contraste du cliché d'électrons rétrodiffusés. L'écran phosphorent est situé à l'intérieur de la chambre d'examen du MEB à un angle d'environ 90° de l'axe du faisceau et est couplé à un objectif compact qui focalise l'image produite sur l'écran phosphorescent vers la caméra CCD. Dans cette configuration, certains des électrons qui atteignent l'échantillon rétrodiffusent et peuvent s'échapper. Lorsque ces électrons quittent l'échantillon, ils peuvent le faire selon la condition de Bragg reliée à l'espacement des plans périodiques du réseau atomique de la structure cristalline et diffractent. Ces électrons diffractés peuvent s'échapper du matériau et certains d'entre eux percuteront et exciteront l'écran phosphorescent, provoquant sa fluorescence.Un diagramme de diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais : electron backscatter diffraction pattern, EBSP) se forme lorsque plusieurs plans différents diffractent les électrons pour former les lignes de Kikuchi (ou bandes de Kikuchi) qui correspondent à chacun des plans de diffraction du réseau. Si la géométrie du système est bien décrite, il est possible de relier les bandes présentes dans le diagramme EBSP à la phase et à l'orientation cristalline du matériau situé à l'intérieur du volume d'interaction électronique. Chaque bande peut être indexée individuellement par les indices de Miller des plans de diffraction qui l'ont formée. Pour la plupart des matériaux, trois bandes/plans qui se croisent suffisent pour obtenir une unique solution d'orientation cristalline (basée sur leurs angles interplans) et la plupart des systèmes commerciaux utilisent des tables de correspondance issues de bases de données cristallines internationales pour réaliser l'indexation. Bien que cette description 'géométrique' reliée à la solution cinématique (utilisant la condition de Bragg) soit très puissante et utile pour définir l'orientation et l'analyse de la texture, elle décrit seulement la géométrie du réseau cristallin et ignore les phénomènes physiques présents dans le matériau diffractant. Pour décrire correctement les caractéristiques fines du diagramme EBSP, on doit utiliser un modèle dynamique multi-faisceaux (par exemple, la variation de l'intensité des bandes dans le diagramme expérimental ne correspond pas à la solution cinématique reliée au facteur de structure).
  • En microscopía electrónica de barrido la difracción de electrones por retrodispersión (EBSD:Electron backscatter diffraction), es una técnica de caracterización cristalográfica y microestructural. En ella, se mide directamente la orientación cristalográfica de un grano mediante indexación automática de su diagrama de difracción, compuesto por varias bandas de Kikuchi.
  • Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) — микроструктурная кристаллографическая методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций моно- или поликристаллического материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи кристаллических систем, также применяется для картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения фаз, изучение межзёренных границ и морфологии, картирования микродеформаций и т. д. Традиционно такой тип исследований проводился с помощью рентгеноструктурного анализа,нейтронной дифракции и дифракции электронов в ПЭМ.Основана на дифракции Брэгга отражённых электронов. Проводится в растровом электронном микроскопе с ДОЭ-приставкой. Последняя состоит из люминесцентного экрана, вводящегося в камеру с образцом РЭМ, CCD-камеры… Вертикальный пучок электронов падает на наклонённый образец (70° — наиболее оптимальный угол наклона к горизонтали). Уменьшение угла наклона понижает интенсивность получаемой дифракционной картины.В мире ДОЭ распространена уже более 15 лет. Является устоявшейся востребованной методикой.
  • Electron backscatter diffraction (EBSD), also known as backscatter Kikuchi diffraction (BKD) is a microstructural-crystallographic technique used to examine the crystallographic orientation of many materials, which can be used to elucidate texture or preferred orientation of any crystalline or polycrystalline material. EBSD can be used to index and identify the seven crystal systems, and as such it is applied to crystal orientation mapping, defect studies, phase identification, grain boundary and morphology studies, regional heterogeneity investigations, material discrimination, microstrain mapping, and using complementary techniques, physicochemical identification. Traditionally these types of studies have been carried out using X-ray diffraction (XRD), neutron diffraction and/or electron diffraction in a TEM.Experimentally EBSD is conducted using a Scanning Electron Microscope (SEM) equipped with an EBSD detector containing at least a phosphor screen, compact lens and low light CCD camera chip. Commercially available EBSD systems typically come with one of two different CCD cameras: for fast measurements the CCD chip has a native resolution of 640×480 pixels; for slower, and more sensitive measurements, the CCD chip resolution can go up to 1600×1200 pixels. However, with higher resolutions the readouts are more time-consuming. The biggest advantage of the high-resolution detectors is their higher sensitivity. For texture and orientation measurements, the images are binned in order to reduce their size and reduce computational times. Thus, the transfer and interpretation of up to almost 1000 images/s is possible if the diffraction signal is sufficient.For an EBSD measurement a flat/polished crystalline specimen is placed in the SEM chamber at a highly tilted angle (~70° from horizontal) towards the diffraction camera, to increase the contrast in the resultant electron backscatter diffraction pattern. The phosphor screen is located within the specimen chamber of the SEM at an angle off approximately 90° to the pole piece and is coupled to a compact lens which focuses the image from the phosphor screen onto the CCD camera. In this configuration, some of the electrons which enter the sample backscatter and may escape. As these electrons leave the sample, they may exit at the Bragg condition related to the spacing of the periodic atomic lattice planes of the crystalline structure and diffract. These diffracted electrons can escape the material and some will collide and excite the phosphor causing it to fluoresce.An electron backscatter diffraction pattern (EBSP) is formed when many different planes diffract different electrons to form Kikuchi bands which correspond to each of the lattice diffracting planes. If the system geometry is well described, it is possible to relate the bands present in the EBSP to the underlying crystal phase and orientation of the material within the electron interaction volume. Each band can be indexed individually by the Miller indices of the diffracting plane which formed it. In most materials, only three bands/planes which intercept are required to describe a unique solution to the crystal orientation (based upon their interplanar angles) and most commercial systems use look up tables with international crystal data bases to perform indexing. While this 'geometric' description related to the kinematic solution (using the Bragg condition) is very powerful and useful for orientation and texture analysis, it only describes the geometry of the crystalline lattice and ignores many physical processes involved within the diffracting material. To adequately describe finer features within the EBSP, one must use a many beam dynamical model (e.g. the variation in band intensities in an experimental pattern does not fit the kinematic solution related to the structure factor).
  • Electron backscatter diffraction (EBSD) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt. Wenn nun manche Elektronen so auf Gitterflächen treffen, dass die Bragg-Bedingung erfüllt ist, so kommt es zu konstruktiver Interferenz. Diese Verstärkung geschieht nun für alle Gitterflächen im Kristall, sodass das entstehende Beugungsbild (engl.: electron backscatter pattern, EBSP, auch Kikuchi-Pattern) alle Winkelbeziehungen im Kristall und somit auch die Kristallsymmetrie beinhaltet. Das so entstehende Beugungsbild wird mit Hilfe eines Phosphorschirms aufgenommen. Die Nutzung der hohen örtlichen Auflösung von Elektronenmiskroskopen (~10 nm) und die automatisierte Bildauswertung mit Hilfe von Computern ermöglicht die ortsaufgelöste Ermittlung (Mapping) der Kristallsymmetrien (Kristallstruktur) und deren Ausrichtung (Kristallorientierung), sowie mit entsprechender Software und hochauflösender Detektion die Analyse von Materialverspannungen (Strain-Analyse).
  • La diffrazione da retrodiffusione elettronica (EBSD: electron backscattered diffraction) è una tecnica cristallografica-mictrostrutturale usata per esaminare l'orientamento cristallografico di parecchi materiali, che può essere usata per delucidare la struttura o orientamento privilegiato di qualsiasi materiale cristallino o policristallino. La tecnica EBSD si può usare per indicizzare e identificare i sette sistemi cristallini, e in quanto tale si applica alla mappatura dell'orientamento dei cristalli, studio di difetti, identificazione delle fasi, studi di interfaccia tra grani e morfologici, investigazioni eterogeneitiche regionali, discernimento del materiale, mappatura di microdeformazioni, e utilizzando tecniche complementari, identificazioni fisico-chimiche. Tradizionalmente questi tipi di studi sono stati eseguiti usando la diffrazione a raggi X (X-ray diffraction, XRD), la diffrazione neutronica e/o la diffrazione elettronica in un microscopio elettronico a trasmissione.In modo sperimentale l'EBSD è eseguito con l'impiego di un microscopio a scansione elettronico (scanning electron microscope, SEM), equipaggiato con una macchina per la ripresa della diffrazione per retrodiffusione. La macchina da presa fotografica per la retrodiffusione consta di uno schermo al fosforo, introdotto nella camera del saggio del SEM ad un angolo maggiore o uguale a 90° rispetto alle espansioni polari, e di una macchina fotografica CCD (acronimo di Charge Coupled Device , dispositivo a carica accoppiata) sulla fine di una guida luminosa per registrare l'immagine sullo schermo fosforescente. Un saggio cristallino liscio e pulito è collocato in posizione normale nella camera dei saggi, ma fortemente inclinato (circa 70° dalla posizione orizzontale) verso la camera. Quando gli elettroni colpiscono il saggio interagiscono con i piani del reticolo atomico della struttura cristallina, molte di queste interazioni soddisfano le condizioni della Legge di Bragg e subiscono la diffrazione per retrodiffusione. A causa dell'angolo del saggio questi elettroni diffratti evadono dal materiale e sono orientati verso lo schermo della camera di diffrazione ove vi impattano facendola emettere luce per fluorescenza, questa luce poi viene rivelata da un dispositivo CCD a bassa luminosità. Gli elettroni diffratti producono una figura di diffrazione, talvolta chiamata figura di elettroni retrodiffusi (electron backscatter pattern, EBP), che sovente mostrano bande di Kikuchi, a condizione che il materiale superficiale (parte superiore da 20 a 100nm) sia adeguatamente cristallino.Le figure di diffrazione elettrronica da retrodiffusione contengono bande di Kikuchi, che corrispondono a ciascuno dei piani del reticollo diffrangente e che possono venire indicizzate con gli indici di Miller del piano diffrangente che le generano. Queste bande generate possono pure essere analizzate per evidenziare deformazioni presenti all'interno del materiale: una figura che si offusca fornisce una indicazione di una deformazione permanente (poiché dislocazioni presenti nel volume interagente deformano il cristallo ed alterano le condizioni di diffrazione) all'interno del cristallo e piccole rotazioni della figura (rispetto a quella di un cristallo perfetto in un dato orientamento) indicano una rotazione del reticolo e una deformazione elastica.
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  • La diffraction d'électrons rétrodiffusés (en anglais electron backscatter diffraction ou EBSD, ou encore backscatter Kikuchi diffraction ou BKD) est une technique cristallographique microstructurale permettant de mesurer l'orientation cristallographique de nombreux matériaux, qui peut être utilisée pour déterminer la texture ou l'orientation préférentielle de n'importe quel matériau monocristallin ou polycristallin.
  • En microscopía electrónica de barrido la difracción de electrones por retrodispersión (EBSD:Electron backscatter diffraction), es una técnica de caracterización cristalográfica y microestructural. En ella, se mide directamente la orientación cristalográfica de un grano mediante indexación automática de su diagrama de difracción, compuesto por varias bandas de Kikuchi.
  • Electron backscatter diffraction (EBSD), also known as backscatter Kikuchi diffraction (BKD) is a microstructural-crystallographic technique used to examine the crystallographic orientation of many materials, which can be used to elucidate texture or preferred orientation of any crystalline or polycrystalline material.
  • La diffrazione da retrodiffusione elettronica (EBSD: electron backscattered diffraction) è una tecnica cristallografica-mictrostrutturale usata per esaminare l'orientamento cristallografico di parecchi materiali, che può essere usata per delucidare la struttura o orientamento privilegiato di qualsiasi materiale cristallino o policristallino.
  • Electron backscatter diffraction (EBSD) ist eine kristallografische Technik, mit der die Struktur von Kristallen analysiert werden kann. EBSD-Systeme werden größtenteils in Rasterelektronenmikroskopen oder Transmissionselektronenmikroskopen eingesetzt. Die Funktionsweise ist dabei, dass der einfallende Primärelektronenstrahl inelastisch an den Atomen der Probe streut und so eine divergente Quelle in der Probe entsteht. Die Probe wird dazu üblicherweise in einem Winkel von 70° eingespannt.
  • Дифракция отражённых электронов (ДОЭ) — микроструктурная кристаллографическая методика, используемая для исследования кристаллографических ориентаций многих материалов, которая может использоваться для исследования текстуры или преимущественных ориентаций моно- или поликристаллического материала.
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  • Diffraction d'électrons rétrodiffusés
  • Дифракция отражённых электронов
  • Diffrazione da retrodiffusione elettronica
  • Difracción de electrones por retrodispersión
  • Electron Backscatter Diffraction
  • Electron backscatter diffraction
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