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  • L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium, ses propriétés en sont assez proches, et comme lui, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits. Il est toxique et dangereux pour l'environnement.L'arséniure d'indium est parfois utilisé en combinaison avec le phosphure d'indium (InP). Les alliages avec l'arséniure de gallium (GaAs) forme un semi-conducteur ternaire, l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs), dont le gap dépend du ratio In/Ga.La différence de paramètre de maille entre l'arséniure d'indium et le phosphure d'indium ou l'arséniure de gallium est cependant suffisante pour former des boîtes quantiques (quantum dots) : lors du dépôt d'une monocouche d'InAs sur un substrat d'InP ou de GaAs, à cause des tensions qui se forment à cause de cette différence de paramètre de maille, l'arséniure d'indium se réorganise en « nano-îles » formant à la surface d'InP ou de GaAs des boîtes quantiques. Il est également possible de former des quantum dots dans l'arséniure d'indium-gallium ou dans l'arséniure de gallium-aluminium.
  • L'arseniuro di indio è un materiale semiconduttore, composto di indio e arsenico. La sua formula chimica è InAs e si presenta sotto forma di cristalli cubici grigi.La sua temperatura di fusione è di 942 °C.L'arseniuro di indio è utilizzato nella costruzione di rivelatori ad infrarossi con gamma spettrale di 1–3,8 μm.
  • Арсенид индия (InAs) — химическое соединение индия и мышьяка. Прямозонный полупроводник группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0.354 эВ. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области спектра, датчиков магнитного поля, для создания массивов квантовых точек.
  • El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico. Este material se utiliza en detectores de infrarrojos, con rangos de longitud de onda de 1 a 3.8 μm.Debido a la alta movilidad electrónica (del orden de 40000 cm2/(V*s)) y a su bajo valor de banda prohibida, se utiliza en emisores de Radiación terahertz.También se utiliza junto con el fosfuro de indio, para obtener un material con una banda prohibida dependiente de la proporción de estos componentes.
  • Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche nicht möglichIndiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern.
  • Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C.Indium arsenide is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well. Indium arsenide is also used for making of diode lasers.Indium arsenide is similar to gallium arsenide and is a direct bandgap material.Indium arsenide is sometimes used together with indium phosphide. Alloyed with gallium arsenide it forms indium gallium arsenide - a material with band gap dependent on In/Ga ratio, a method principally similar to alloying indium nitride with gallium nitride to yield indium gallium nitride.InAs is well known for its high electron mobility and narrow energy bandgap. It is widely used as terahertz radiation source as it is a strong photo-Dember emitter.Quantum dots can be formed in a monolayer of indium arsenide on indium phosphide or gallium arsenide. The mismatches of lattice constants of the materials create tensions in the surface layer, which in turn leads to formation of the quantum dots. Quantum dots can also be formed in indium gallium arsenide, as indium arsenide dots sitting in the gallium arsenide matrix.
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  • L'arséniure d'indium, InAs, est un semi-conducteur composite binaire de type III-V, composé d'arsenic et d'indium. Il a l'apparence d'un cristal cubique, gris, avec un point de fusion de 942 °C. L'arséniure d'indium est assez similaire à l'arséniure de gallium, ses propriétés en sont assez proches, et comme lui, il possède un gap direct. Il possède l'une des plus importantes mobilités d'électron parmi les semi-conducteurs, et son gap est l'un des plus petits.
  • L'arseniuro di indio è un materiale semiconduttore, composto di indio e arsenico. La sua formula chimica è InAs e si presenta sotto forma di cristalli cubici grigi.La sua temperatura di fusione è di 942 °C.L'arseniuro di indio è utilizzato nella costruzione di rivelatori ad infrarossi con gamma spettrale di 1–3,8 μm.
  • Арсенид индия (InAs) — химическое соединение индия и мышьяка. Прямозонный полупроводник группы AIIIBV с шириной запрещённой зоны 0.354 эВ. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, светодиодов и фотодиодов, работающих в инфракрасной области спектра, датчиков магнитного поля, для создания массивов квантовых точек.
  • Vorlage:Infobox Chemikalie/Summenformelsuche nicht möglichIndiumarsenid ist eine chemische Verbindung von Indium und Arsen. Sie ist ein Halbleiter und zählt zu den III-V-Halbleitern.
  • El Arseniuro de indio(InAs), o monoarseniuro de indio, es un compuesto semiconductor formado por indio y arsénico.
  • Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals with a melting point of 942 °C.Indium arsenide is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1–3.8 µm. The detectors are usually photovoltaic photodiodes. Cryogenically cooled detectors have lower noise, but InAs detectors can be used in higher-power applications at room temperature as well.
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  • Arséniure d'indium
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  • Арсенид индия
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