L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde.

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde.
  • Molecular beam epitaxy (MBE) is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho. MBE is widely used in the manufacture of semiconductor devices, including transistors for cellular phones and WiFi.
  • 分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。
  • Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) je jedna z několika metod pro růst tenkých vrstev na podložkách (substrátech). Byla vyvinuta na konci šedesátých let 20. století v laboratořích Bell Telephone Laboratories dvojicí J. R. Arthurem a Alfredem Y. Cho.
  • Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста). Для процесса эпитаксии необходимы специальные хорошо очищенные подложки с атомарногладкой поверхностью.Технология молекулярно-пучковой эпитаксии была создана в конце 1960-х годов Дж. Р. Артуром (J. R. Arthur) и Альфредом Чо (Alfred Y. Cho).
  • Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE, z ang. molecular beam epitaxy) – jedna z technik epitaksji polegająca na osadzaniu cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤10 −7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i Alfreda Y. Cho. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, metali, izolatorów i nadprzewodników.
  • En física se llama crecimiento epitaxial por haces moleculares (o MBE, por sus siglas en inglés) a uno de los varios métodos que existen para la deposición de monocristales. Fue creado por J. R. Arthur y Alfred Cho a finales de los 60 en los laboratorios Bell.El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío (10-8 Pa). El aspecto más importante del crecimiento epitaxial por haces moleculares es la baja tasa de sedimentación (normalmente inferior a 1000 nm por hora). Las bajas tasas de sedimentación requieren proporcionalmente mejor vacío para alcanzar los mismos niveles de impureza que otras técnicas de sedimentación. En estado sólido, algunos elementos ultrapuros como el galio o el arsénico se calientan diferentes células de efusión de Knudsen hasta que comienzan a sublimarse . A continuación, los elementos se condensan en un oblea, en la que puede que se produzca una reacción. En el caso del galio y del arsénico, se forma un monocristal de arseniuro de galio. El término «haz» indica que los átomos que se han evaporado no interactúan entre ellos o no expulsan gases hasta que conforman la oblea, debido al camino libre medio de los átomos.Durante esta operación, se observa el crecimiento de las películas cristalinas mediante la técnica denominada difracción de electrones de alta energía por reflexión (RHEED), puesto que esta técnica, a diferencia de la difracción de rayos X empleada en la cristalografía, sólo analiza la superficie de la muestra. Mediante un ordenador, se coloca un obturador en frente de cada horno, lo que permite controlar de forma más precisa el grosor de cada capa, incluso de una única capa de átomos. Las capas de estructuras complejas de diferentes materiales se fabrican de este modo. Este control ha permitido el desarrollo de estructuras en las que los electrones pueden confinar en un espacio, en pozos cuánticos o incluso en puntos cuánticos. En la actualidad, estas capas son una parte importante de los dispositivos semiconductores, entre los que se incluyen los diodos láser y los diodos emisores de luz.En aquellos sistemas en los que es necesario enfriar el sustrato, el ambiente de ultra alto vacío dentro de la cámara de crecimiento se mantiene gracias a un sistema de cryopump y criopaneles, que se enfría mediante nitrógeno líquido o nitrógeno frío en estado gaseoso en una temperatura de aproxidamente 77 kelvin (-196 °C). Las temperaturas de criogenización actúan como un filtro para las impurezas del vacío, por lo que los niveles de vacío han de ser de varios órdenes de magnitudes para una mejor deposición de las películas de acuerdo con estas condiciones. En otros sistemas, las obleas en las que crecen estos cristales pueden estar montadas sobre una base rotatoria que puede calentarse hasta varios cientos de grados celsius durante este proceso.El crecimiento epitaxial por haces moleculares también se emplea para la deposición de algunos tipos de polímeros semiconductores. En este caso, las moléculas, en lugar de los átomos, se evaporan y se depositan sobre la oblea. Otras variaciones incluyen el MBE en estado gaseoso, parecida a la deposición química de vapor.
  • L'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è una tecnica che permette la crescita di sottili strati di materiali cristallini su substrati massivi. La tecnica, basata su concetti espressi negli anni '50, si è sviluppata dopo il 1970 quando si sono resi disponibili sistemi che permettono il vuoto necessario alla sua operatività. La caratteristica principale della MBE è infatti quella di operare in condizioni di alto vuoto nel quale non si hanno urti tra le molecole o gli atomi degli elementi che incidono sul substrato. Il vuoto base, quello cioè che si ha con sorgenti non attive, è dell'ordine di 10−10 torr, che permette di ottenere materiali di alta purezza. L'uso di un ambiente in alto vuoto permette inoltre di monitorare la crescita del materiale in tempo reale tramite la diffrazione di elettroni, cosa non possibile con le tecniche che operano a pressioni maggiori.Questo monitoraggio in tempo reale, unito alla bassa velocità di crescita che si può avere (anche inferiore a 0,1 nm/s), permette di controllare lo spessore dello strato cresciuto con precisione inferiore allo spessore del singolo monostrato atomico del materiale in crescita.Un'altra importante caratteristica della tecnica è che opera in condizioni di non-equilibrio termodinamico, cosa che permette la crescita di leghe di materiali non miscibili in fase liquida o gassosa, allargando quindi le possibilità di costruire materiali artificiali. Gli elementi e i composti da usare per la crescita del cristallo sono contenuti all'interno di camere ermetiche che si affacciano al reattore attraverso otturatori. La temperatura delle camere è controllata con grande precisione perché da questa dipende la pressione del vapore e quindi la densità del flusso di molecole che fuoriesce all'apertura dell'otturatore. Dalla densità del flusso dipende la composizione del cristallo risultante.La MBE viene usata in grande prevalenza nell'ambito dei semiconduttori, ma viene anche applicata per la crescita di metalli e ossidi conduttori.
  • Molekularstrahlepitaxie (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen.Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um einkristalline Strukturen aus Halbleiterverbindungen wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), GaInNAs, Galliumantimonid (GaSb) auf einem Substrat zu erzeugen.Sie wurde Ende der 1960er Jahre an den Bell Laboratories durch Alfred Y. Cho und John R. Arthur entwickelt.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageExternalLink
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 2245930 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 7531 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 29 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 107370322 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdfs:comment
  • L'épitaxie par jets moléculaires (ou MBE pour Molecular Beam Epitaxy) est une technique consistant à envoyer un ou plusieurs jets moléculaires vers un substrat préalablement choisi pour réaliser une croissance épitaxiale. Elle permet de faire croître des échantillons nanostructurés de plusieurs cm2 à une vitesse d'environ une monocouche atomique par seconde.
  • Molecular beam epitaxy (MBE) is one of several methods of depositing single crystals. It was invented in the late 1960s at Bell Telephone Laboratories by J. R. Arthur and Alfred Y. Cho. MBE is widely used in the manufacture of semiconductor devices, including transistors for cellular phones and WiFi.
  • 分子線エピタキシー法(ぶんしせんエピタキシーほう、 MBE; Molecular Beam Epitaxy)は現在、半導体の結晶成長に使われている手法の一つである。真空蒸着法に分類され、物理吸着を利用する。高真空のために、原料供給機構より放たれた分子が他の気体分子にぶつかることなく直進し、ビーム状の分子線となるのが名称の由来である。
  • Epitaxe z molekulárních svazků (MBE) je jedna z několika metod pro růst tenkých vrstev na podložkách (substrátech). Byla vyvinuta na konci šedesátých let 20. století v laboratořích Bell Telephone Laboratories dvojicí J. R. Arthurem a Alfredem Y. Cho.
  • Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE, z ang. molecular beam epitaxy) – jedna z technik epitaksji polegająca na osadzaniu cienkich warstw półprzewodnikowych z wiązek molekularnych (lub atomowych) w ultrawysokiej próżni (p ≤10 −7 Pa). Metoda została opracowana pod koniec lat 60. XX wieku w Bell Telephone Laboratories przez J.R. Arthura i Alfreda Y. Cho. Obecnie MBE jest jedną z najszerzej stosowanych technologii wzrostu cienkich warstw półprzewodników, metali, izolatorów i nadprzewodników.
  • L'epitassia da fasci molecolari (MBE, dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è una tecnica che permette la crescita di sottili strati di materiali cristallini su substrati massivi. La tecnica, basata su concetti espressi negli anni '50, si è sviluppata dopo il 1970 quando si sono resi disponibili sistemi che permettono il vuoto necessario alla sua operatività.
  • En física se llama crecimiento epitaxial por haces moleculares (o MBE, por sus siglas en inglés) a uno de los varios métodos que existen para la deposición de monocristales. Fue creado por J. R. Arthur y Alfred Cho a finales de los 60 en los laboratorios Bell.El crecimiento epitaxial por haces moleculares se produce en alto vacío o en ultra alto vacío (10-8 Pa).
  • Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума. Позволяет выращивать гетероструктуры заданной толщины с моноатомно гладкими гетерограницами и с заданным профилем легирования. В установках МПЭ имеется возможность исследовать качество плёнок «in situ» (то есть прямо в ростовой камере во время роста).
  • Molekularstrahlepitaxie (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw.
rdfs:label
  • Épitaxie par jet moléculaire
  • Crecimiento epitaxial por haces moleculares
  • Epitaksja z wiązek molekularnych
  • Epitassia da fasci molecolari
  • Epitaxe z molekulárních svazků (MBE)
  • Molecular beam epitaxy
  • Molekularstrahlepitaxie
  • Молекулярно-пучковая эпитаксия
  • 分子線エピタキシー法
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of