L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes.Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».

PropertyValue
dbpedia-owl:abstract
  • L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes.Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».
  • L'epitàxia o creixement epitaxial és un dels processos en la fabricació de circuits integrats. A partir d'una cara d'un cristall de material semiconductor, o substrat, es fa créixer una capa uniforme i de poc gruix amb la mateixa estructura cristal·lina que aquest. Mitjançant aquesta tècnica es pot controlar de forma molt precisa el nivell d'impureses en el semiconductor, que són els que defineixen el seu caràcter (N o P). Per fer això s'escalfa el semiconductor fins a gairebé el seu punt de fusió i es posa en contacte amb el material de base perquè, en refredar-se, recristal·litzi amb l'estructura adequada.Hi ha diversos mètodes: Creixement epitaxial en fase vapor (VPE). Creixement epitaxial en fase líquida (LPE). Creixement epitaxial per feixos moleculars (MBE). Química metal-orgàniques per deposició de vapor (MOCVD)
  • Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu.Termín epitaxe zavedl v roce 1936 L. Royer a pochází z řeckých epi "nad" a taxis "uspořádaně".Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu). Jestliže je vrstva ukládána na substrát stejného složení, mluvíme o homoepitaxi, v opačném případě o heteroepitaxi.Homoepitaxe je druh epitaxe prováděný pouze s jedním materiálem. Při homoepitaxi se tenká vrstva roste na substrát stejného materiálu. Toho se využívá, pokud chceme čistější vrstvu než je substrát nebo pokud má být nová vrstva jinak dopovaná.Heteroepitaxe je druh epitaxe prováděný s navzájem odlišnými materiály. Při heteroepitaxi se tenká vrstva ukládá na substrát z jiného materiálu. Tato metoda se často používá při růstu vrstev materiálů, u nichž nelze jinak získat monokrystal nebo k výrobě integrovaných krystalických vrstev různých materiálů. Například se jedná o galium nitrid (GaN) na safíru nebo aluminium galium indium fosfid (AlGaInP) na arsenidu galia (GaAs).Epitaxe se využívá ve výrobních postupech založených na křemíku při výrobě bipolárních tranzistorů a moderních CMOS, ale je obzvláště důležitá pro sloučeninové polovodiče jako galium arsenid (GaAs).Problémy při výrobě zahrnují kontrolu míry a rovnoměrnosti odporu a tloušťky ukládané vrstvy, čistoty povrchu, prostředí růstové komory, zabránění difuze dopantů z typicky mnohem více dopovaného substrátu do nové vrstvy, nedokonalosti růstového procesu a ochranu povrchů při výrobě a manipulaci.
  • エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。なお、現在窒化ガリウム(GaN)はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。
  • Per epitassia si intende la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron. L'epitassia può definirsi omoepitassia quando il materiale epitassiale è lo stesso del substrato massivo, oppure eteroepitassia, quando il materiale epitassiale è chimicamente differente dal substrato.
  • Епитаксия e ориентираната кристализация на едно вещество върху повърхността на монокристална подложка от друго вещество, по такъв начин, че неговата кристална решетка е идентична с тази на подложката. Епитаксията е основен технологичен процес в производството на полупроводници и интегрални схеми. Благодарение на нея се получават много тънки хомогенни кристални слоеве (10-20 μm).За нуждите на епитаксията обикновено се използва монокристална подложка от силиций, която се излага на поток от водород, съдържащ па̀ри на халогенно съединение на силиция, например SiCl4. При достатъчно висока температура (най-малко 1200°) протича реакция, при която върху повърхността на подложката се отлага чист силиций със същата кристалографска ориентация.Когато е необходимо епитаксиалният слой на полупроводника да притежава различна проводимост от тази на подложката, към па̀рите на SiCl4 се прибавят па̀ри на други халогенни съединения: например на бора (BCl3) за p-проводимост или на фосфора (PCl3) за n-проводимост.
  • Epitaxie is een methode om een dunne monokristallijne laag aan te brengen op een monokristallijn substraat (onderlaag). De aangebrachte laag wordt een epitaxiale laag genoemd. De term epitaxie komt van de Griekse woorden epi („boven” of „op”) en taxis („geordend”).Epitaxiale lagen kunnen worden gekweekt uit de gasvormige of vloeibare fase. Daar het substraat als een entkristal werkt, krijgt de epitaxiale laag dezelfde kristalstructuur als het substraat. Dit in tegenstelling tot methodes waarbij dunne lagen worden opgedampt, waarbij zelfs op eenkristallijne substraten polykristallijne of amorfe lagen worden gevormd. Wordt een laag aangebracht op een substraat van dezelfde samenstelling, dan spreekt men van homo-epitaxie, en in het andere geval van hetero-epitaxie.Homo-epitaxie is een vorm van epitaxie waarbij slechts één materiaal wordt gebruikt. Daarbij wordt een kristallaag gekweekt op een substraat of een film van hetzelfde materiaal. Deze technologie wordt gebruikt om een film te kweken die nog zuiverder is dan het substraat, en om lagen te maken met verschillende doteringen.Hetero-epitaxie is een vorm van epitaxie met twee verschillende materialen. Daarbij wordt een kristallijne laag gekweekt op een kristallijn substraat of film van een ander materiaal. Deze technologie wordt veel gebruikt voor materialen waarvan men op andere wijze geen eenkristallen kan vervaardigen, en om geïntegreerde kristallagen van verschillende materialen te maken. Voorbeelden zijn galliumnitride (GaN) op saffier, aluminiumgalliumindiumfosfide (AlGaInP) op galliumarsenide (GaAs), en andere.Heterotopo-epitaxie is een proces dat vergelijkbaar is met hetero-epitaxie, maar waarbij het kweken van de dubbe laag niet tot twee dimensies is beperkt. Het substraat gelijkt hier alleen qua structuur op het dunnelaagmateriaal.Epitaxie wordt gebruikt voor de productie van bipolaire transistoren en moderne CMOS-schakelingen op basis van silicium, maar het is vooral van belang voor samengestelde halfgeleiders zoals galliumarsenide. Van belang bij de productie zijn het beheersen van de hoeveelheden en de uniformiteit van de soortelijke weerstand en de dikte van de dunne laag, de zuiverheid het materiaal en het oppervlak, de condities in de opdampkamer, het voorkomen diffusie van doteringen uit het gewoonlijk veel minder zuivere substraatmateriaal naar de opgebrachte laag, onvolkomenheden in het kweekproces en het beschermen van het oppervlak tijdens de productie en de verdere behandeling.
  • Epitaxy refers to the deposition of a crystalline overlayer on a crystalline substrate, where there is registry between the overlayer and the substrate.The overlayer is called an epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from the Greek roots epi (ἐπί), meaning «above», and taxis (τάξις), meaning «in ordered manner». It can be translated «arranging upon». For most technological applications, it is desired that the deposited material form a crystalline overlayer that has one well-defined orientation with respect to the substrate crystal structure (single-domain epitaxy).Epitaxial films may be grown from gaseous or liquid precursors. Because the substrate acts as a seed crystal, the deposited film may lock into one or more crystallographic orientations with respect to the substrate crystal. If the overlayer either forms a random orientation with respect to the substrate or does not form an ordered overlayer, this is termed non-epitaxial growth. If an epitaxial film is deposited on a substrate of the same composition, the process is called homoepitaxy; otherwise it is called heteroepitaxy.Homoepitaxy is a kind of epitaxy performed with only one material. In homoepitaxy, a crystalline film is grown on a substrate or film of the same material. This technology is used to grow a film which is more pure than the substrate and to fabricate layers having different doping levels. In academic literature, homoepitaxy is often abbreviated to "homoepi".Heteroepitaxy is a kind of epitaxy performed with materials that are different from each other. In heteroepitaxy, a crystalline film grows on a crystalline substrate or film of a different material. This technology is often used to grow crystalline films of materials for which crystals cannot otherwise be obtained and to fabricate integrated crystalline layers of different materials. Examples include gallium nitride (GaN) on sapphire, aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) on gallium arsenide (GaAs) or diamond or iridium.Heterotopotaxy is a process similar to heteroepitaxy except for the fact that thin film growth is not limited to two dimensional growth. Here the substrate is similar only in structure to the thin film material.Pendeo-Epitaxy is a process, where the heteroepitaxial film is growing vertically and laterally at the same time.Epitaxy is used in silicon-based manufacturing processes for bipolar junction transistors (BJTs) and modern complementary metal–oxide–semiconductors (CMOS), but it is particularly important for compound semiconductors such as gallium arsenide. Manufacturing issues include control of the amount and uniformity of the deposition's resistivity and thickness, the cleanliness and purity of the surface and the chamber atmosphere, the prevention of the typically much more highly doped substrate wafer's diffusion of dopant to the new layers, imperfections of the growth process, and protecting the surfaces during the manufacture and handling.
  • Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre".
  • Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża.Opracował ją w 1957 roku N. N. Sheftal z zespołem.Epitaksja pozwala kontrolować domieszkowanie warstwy epitaksjalnej, zarówno typu p jak i n, i jest to niezależne od domieszkowania podłoża.Odmianą epitaksji jest epitaksja z wiązek molekularnych – technika ta pozwala na nanoszenie warstw krystalicznych o grubości pojedynczej warstwy atomowej. Technika ta jest wykorzystywana w produkcji kropek kwantowych oraz tzw. cienkich warstw.Zjawisko epitaksjalnej krystalizacji lodu na jodkach metali jest używane do rozpraszania mgły i wywoływania opadów.
  • La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. La epitaxia se refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato.A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este. Mediante esta técnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carácter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusión y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada.Hay varios métodos: Crecimiento epitaxial en fase vapor (VPE). Crecimiento epitaxial en fase líquida (LPE). Crecimiento epitaxial por haces moleculares (MBE). Química metalorgánica por deposición a vapor (MOCVD)
  • Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), т. е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ, например так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире), и гомоэпитаксию, когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется эндотаксией.Эпитаксия особенно легко осуществляется, если различие постоянных решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют дислокации несоответствия.Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.Эпитаксия является одним из базовых процессов технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.
  • Epitaxie (von griechisch epi - „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann. Man spricht von Epitaxie, wenn mindestens eine kristallographische Orientierung des wachsenden Kristalls (der wachsenden Kristalle) einer Orientierung des kristallinen Substrates entspricht.In natürlichen Prozessen funktioniert Epitaxie so, dass mehrere kleine Kristalle in räumlicher Entfernung voneinander auf einem großen Kristall aufwachsen. In technischen Prozessen sind die aufwachsenden Kristalle meist nicht räumlich voneinander getrennt, sondern bilden eine ununterbrochene Schicht. Abhängig davon, ob Substrat und aufwachsende Kristalle bzw. Schicht aus gleichem oder unterschiedlichem Material bestehen, werden auch die Bezeichnungen Homo- beziehungsweise Heteroepitaxie verwendet.
dbpedia-owl:thumbnail
dbpedia-owl:wikiPageID
  • 669149 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageLength
  • 7341 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageOutDegree
  • 36 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageRevisionID
  • 108034092 (xsd:integer)
dbpedia-owl:wikiPageWikiLink
prop-fr:wikiPageUsesTemplate
dcterms:subject
rdfs:comment
  • L'épitaxie est une technique de croissance orientée, l'un par rapport à l'autre, de deux cristaux possédant un certain nombre d'éléments de symétrie communs dans leurs réseaux cristallins. On distingue l'homo-épitaxie, qui consiste à faire croître un cristal sur un cristal de nature chimique identique, et l'hétéro-épitaxie, dans laquelle les deux cristaux sont de natures chimiques différentes.Étymologiquement, « épi » en grec signifie « sur » et « taxis », « arrangement ».
  • エピタキシャル成長(Epitaxial Growth)とは、薄膜結晶成長技術のひとつである。基板となる結晶の上に結晶成長を行い、下地の基板の結晶面にそろえて配列する成長の様式である。基板と薄膜が同じ物質である場合をホモエピタキシャル、異なる物質である場合をヘテロエピタキシャルと呼ぶ。結晶成長の方法として分子線エピタキシー法や有機金属気相成長法、液相エピタキシー法などがある。エピタキシャル成長が起こるには格子定数のほぼ等しい結晶を選ぶ必要があり、温度による膨張係数の近い物でなくてはならない。なお、現在窒化ガリウム(GaN)はサファイア基板上に結晶成長をする方法が広く採られているが、両者の格子定数は大きく違うこと等があり、通常の方法ではエピタキシャル成長できない。これを解決するために赤崎勇が低温バッファー層を導入したことによりサファイア基板上にGaNをエピタキシャル成長することに成功した。GaNのエピタキシャル成長が成功したことにより窒化物系半導体を用いた発光ダイオード、レーザーダイオード、電子デバイス、受光素子の発展へとつながった。
  • Epitaxia refere-se ao método de deposição de uma película monocristalina sobre um substrato monocristalino. A película depositada é denominada como película ou camada epitaxial. O termo epitaxial origina-se das raízes gregas epi, significando "acima", e taxis, significando "de maneira ordenada". Pode ser traduzido como "arranjado sobre".
  • Epitaksja (gr. epi + taxis = na uporządkowanym) – technika półprzewodnikowa wzrostu nowych warstw monokryształu na istniejącym podłożu krystalicznym, która powiela układ istniejącej sieci krystalicznej podłoża.Opracował ją w 1957 roku N. N.
  • Epitaxy refers to the deposition of a crystalline overlayer on a crystalline substrate, where there is registry between the overlayer and the substrate.The overlayer is called an epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from the Greek roots epi (ἐπί), meaning «above», and taxis (τάξις), meaning «in ordered manner». It can be translated «arranging upon».
  • Epitaxe je proces, při němž na povrchu podložky (substrátu) roste tenká krystalická vrstva. Krystalická mřížka nově vznikající vrstvy navazuje bezprostředně na krystalickou mřížku substrátu.Termín epitaxe zavedl v roce 1936 L. Royer a pochází z řeckých epi "nad" a taxis "uspořádaně".Epitaxní vrstvy se mohou růst z plynných, tekutých nebo pevných prekurzorů (látky, ze kterých chceme růst vrstvu).
  • L'epitàxia o creixement epitaxial és un dels processos en la fabricació de circuits integrats. A partir d'una cara d'un cristall de material semiconductor, o substrat, es fa créixer una capa uniforme i de poc gruix amb la mateixa estructura cristal·lina que aquest. Mitjançant aquesta tècnica es pot controlar de forma molt precisa el nivell d'impureses en el semiconductor, que són els que defineixen el seu caràcter (N o P).
  • La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados. La epitaxia se refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el sustrato.A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este.
  • Epitaxie (von griechisch epi - „auf“, „über“ und taxis im Sinne von „ordnen“ bzw. „ausrichten“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
  • Епитаксия e ориентираната кристализация на едно вещество върху повърхността на монокристална подложка от друго вещество, по такъв начин, че неговата кристална решетка е идентична с тази на подложката. Епитаксията е основен технологичен процес в производството на полупроводници и интегрални схеми.
  • Per epitassia si intende la deposizione di sottili strati di materiale cristallino su un substrato massivo, anch'esso cristallino, che ne indirizza la crescita e ne determina le proprietà strutturali. Lo spessore dello strato epitassiale può variare dalla frazione di nanometro a centinaia di micron.
  • Epitaxie is een methode om een dunne monokristallijne laag aan te brengen op een monokristallijn substraat (onderlaag). De aangebrachte laag wordt een epitaxiale laag genoemd. De term epitaxie komt van de Griekse woorden epi („boven” of „op”) en taxis („geordend”).Epitaxiale lagen kunnen worden gekweekt uit de gasvormige of vloeibare fase. Daar het substraat als een entkristal werkt, krijgt de epitaxiale laag dezelfde kristalstructuur als het substraat.
  • Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), т. е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентировку, что и предыдущий.
rdfs:label
  • Épitaxie
  • Epitaksja
  • Epitassia
  • Epitaxe
  • Epitaxia
  • Epitaxia
  • Epitaxie
  • Epitaxie
  • Epitaxy
  • Epitàxia
  • Епитаксия
  • Эпитаксия
  • エピタキシャル成長
owl:sameAs
http://www.w3.org/ns/prov#wasDerivedFrom
foaf:depiction
foaf:isPrimaryTopicOf
is dbpedia-owl:wikiPageRedirects of
is dbpedia-owl:wikiPageWikiLink of
is foaf:primaryTopic of